外电场对不同组分比例的HMX/FOX-7共晶炸药感度影响的理论研究

借助分子动力学方法对不同电场不同组分比例的HMX/FOX-7共晶炸药晶体表面成键能和力学性质进行了研究。在不同外电场作用下,利用B3LYP和MP2(full)方法在6-311++G(d,p)和6-311++G(2df,2p)基组水平上,计算了HMX/FOX-7(1∶1)复合物中HMX的撞击感度h_(50)及其N-NO_2键离解能。结果表明:1∶1比例的共晶炸药最稳定、力学性质较好。共晶主要在HMX(0 2 0)和(1 0 0)晶面上形成。共晶复合物的形成使HMX引发键N-NO_2增强,感度降低。正方向外电场增大了晶面成键能和HMX中N-NO_2键离解能,升高了h_(50)值,降低了HMX的撞击感度;而负方向外电场对其影响正好相反。正方向外电场使G和E值增大,炸药延展性降低;负方向外电场效应正好相反。

外电场对不同组分比例的HMX/NQ共晶炸药感度影响的理论研究

借助分子动力学方法对不同电场不同组分比例的HMX/NQ共晶炸药晶体表面成键能和力学性质进行了研究。利用B3LYP和MP2(full)的方法在6-311++G(d,p)和6-311++G(2df,2p)水平上计算了HMX/NQ(1:1)复合物中不同电场HMX中N–NO_2键离解能和撞击感度h50。结果表明:1:1比例的共晶炸药最稳定、力学性质较好。共晶主要发生在HMX(0 2 0)和(1 0 0)晶面上。共晶复合物的形成使HMX引发键N–NO_2增强,感度降低。正方向外电场增大了晶面成键能和N–NO_2键离解能,升高了h50值,降低了HMX的撞击感度;而负方向外电场对其影响正好相反。正方向外电场使剪切模量G和拉伸模量E值增大,炸药延展性下降。