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波在不同组分功能梯度材料介质中的传播特性
1
作者
葛超峰
程红梅
《济南大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2012年第3期326-330,共5页
采用有限体积法构造了功能梯度材料中波动方程的显式差分方程,结合冻结系数方法和Fourier方法证明了差分方程是条件稳定的,并得到了差分方程的稳定性条件,然后通过与已有结果的对比证明了差分方程的正确性;计算了不同组分功能梯度材料...
采用有限体积法构造了功能梯度材料中波动方程的显式差分方程,结合冻结系数方法和Fourier方法证明了差分方程是条件稳定的,并得到了差分方程的稳定性条件,然后通过与已有结果的对比证明了差分方程的正确性;计算了不同组分功能梯度材料板在瞬态位移激励下的动态响应,分析了组分幂函数变化对波到达末端时间、波幅、应力等的影响。
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关键词
波
功能梯度
材料
不同
组分
有限体积法
差分方程
下载PDF
职称材料
InAlN材料表面态性质研究
被引量:
2
2
作者
杨彦楠
王新强
+3 位作者
卢励吾
黄呈橙
许福军
沈波
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第17期439-445,共7页
运用电流-电压(I-V),变频电容-电压(C-V)和原子力显微镜(AFM)技术研究In组分分别为15%,17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质(表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置).I-V和变频C-V方法测量得到的实验...
运用电流-电压(I-V),变频电容-电压(C-V)和原子力显微镜(AFM)技术研究In组分分别为15%,17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质(表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置).I-V和变频C-V方法测量得到的实验结果表明,随着In组分增加,肖特基势垒高度逐渐降低,表面态密度依次增加.变频C-V特性还表明,随着测试频率降低,C-V曲线有序地朝正电压方向移动,该趋势随着In组分的增加而变得更加明显,这可能归结于InAlN表面态的空穴发射.AFM表面形貌研究揭示InAlN表面粗糙度增加可能是表面态密度增加的主要原因.
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关键词
不同in组分的inaln材料
表面态
电流
电压特性
变频电容
电压特性
原文传递
题名
波在不同组分功能梯度材料介质中的传播特性
1
作者
葛超峰
程红梅
机构
中国矿业大学力学与建筑工程学院
中国矿业大学深部岩土力学与地下工程国家重点实验室
出处
《济南大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2012年第3期326-330,共5页
基金
国家青年科学基金(10802091)
国家重点基础研究发展计划(973)(2011CB201205
2010CB226804)
文摘
采用有限体积法构造了功能梯度材料中波动方程的显式差分方程,结合冻结系数方法和Fourier方法证明了差分方程是条件稳定的,并得到了差分方程的稳定性条件,然后通过与已有结果的对比证明了差分方程的正确性;计算了不同组分功能梯度材料板在瞬态位移激励下的动态响应,分析了组分幂函数变化对波到达末端时间、波幅、应力等的影响。
关键词
波
功能梯度
材料
不同
组分
有限体积法
差分方程
Keywords
wave
functionally graded material
material componet distribution
finite volume method
differential equation
分类号
O313 [理学—一般力学与力学基础]
下载PDF
职称材料
题名
InAlN材料表面态性质研究
被引量:
2
2
作者
杨彦楠
王新强
卢励吾
黄呈橙
许福军
沈波
机构
北京大学物理学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第17期439-445,共7页
基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2012CB619303,2012CB619304)
国家自然科学基金(批准号:61225019,11023003,10990102)
+1 种基金
国家高技术研究发展计划(863计划)(批准号:2011AA050514,2011AA03A103,2011AA03A111)
教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目资助的课题~~
文摘
运用电流-电压(I-V),变频电容-电压(C-V)和原子力显微镜(AFM)技术研究In组分分别为15%,17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质(表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置).I-V和变频C-V方法测量得到的实验结果表明,随着In组分增加,肖特基势垒高度逐渐降低,表面态密度依次增加.变频C-V特性还表明,随着测试频率降低,C-V曲线有序地朝正电压方向移动,该趋势随着In组分的增加而变得更加明显,这可能归结于InAlN表面态的空穴发射.AFM表面形貌研究揭示InAlN表面粗糙度增加可能是表面态密度增加的主要原因.
关键词
不同in组分的inaln材料
表面态
电流
电压特性
变频电容
电压特性
Keywords
InA1N materal with different In content, surface states, I-V characteristics, frequency dependent C-Vcharacteristics
分类号
O472.1 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
波在不同组分功能梯度材料介质中的传播特性
葛超峰
程红梅
《济南大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2012
0
下载PDF
职称材料
2
InAlN材料表面态性质研究
杨彦楠
王新强
卢励吾
黄呈橙
许福军
沈波
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
原文传递
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