不均匀过渡电阻下地铁杂散电流分析

在地铁工程设计中,考虑钢轨对结构或对地的过渡电阻均匀会造成钢轨电位和杂散电流的泄露情况与设计不符。讨论杂散电流的产生、危害及其相关腐蚀机理,建立均匀电阻下直流供电系统杂散电流分布的数学模型;采用数学模型进行计算机仿真,对比分析不均匀过渡电阻下的杂散电流分布规律,对具体地铁工程钢轨电位和杂散电流引发的问题进行分析和研究。

区熔气相掺杂硅单晶径向电阻率均匀性的研究

本文通过试验研究了下轴转速、正反转时间比、偏心度三个方面因素对于区熔气相掺杂硅单晶径向电阻率均匀性的影响。试验结果表明:随着下轴转速的不断增加,单晶径向电阻率分布偏差呈先降低后升高的趋势;正反转时间比增加,单晶径向电阻率分布得到明显改善,正反转角度进一步增加,径向电阻率分布偏差又有升高的趋势;随偏心度增加,单晶边缘与中心点电阻率趋于一致,单晶径向电阻率不均匀性明显减小。

重掺As衬底上超高阻薄层硅外延片的制备

超高阻薄层硅外延片可用于制备光电探测器的二极管、瞬态电压抑制二极管等分立器件。利用E200型单片外延炉在直径为150 mm的重掺As硅单晶衬底上制备了参数可控且均匀性高的外延层。采用多次本征生长技术,在重掺As硅衬底边缘形成掺杂原子耗尽层,有效减少了重掺As硅衬底的自掺效应。同时应用低温外延技术、无HCl抛光技术,研制出超高阻薄层硅外延片,外延层电阻率为1093Ω·cm,外延层厚度为12.06μm,满足外延层厚度(12±1)μm、外延层电阻率大于1000Ω·cm的设计要求,片内电阻率不均匀性为4.36%,片内厚度不均匀性为0.5%。外延片已用于批量生产。

硅探测器的数字化脉冲形状甄别

介绍了利用硅探测器的脉冲形状甄别进行粒子鉴别的原理。详细叙述了基于数字化方法的脉冲形状甄别的实现。采样频率和位数是数字化方法的两个重要参数。对于硅探测器信号,采用100 MS/s,12 bit的Digitizer可以满足脉冲形状甄别法对时间分辨的要求。同时对该方法粒子鉴别的特征和能量阈值做了简要的分析和对比。粒子背面入射硅探测器的所得的阈值低于正面入射的情况。例如对于氖周围的同位素,背面入射情况的阈值约为100 MeV,为正面入射情况下鉴别阈值的二分之一,相当与?E-E方法中?E探测器厚度约为60μm情况下的阈值。最后定性讨论了硅探测器的电阻率不均匀性和沟道效应对粒子鉴别性能的影响。

直径52～65mm探测器级Si单晶的真空制备

为了制备纯度11N以上、直径φ大于45mm并且各项性能指标满足探测器级要求的大直径超高纯单晶Si材料，本文在真空气氛下提纯并生长垂52～65mm探测器级区熔（FZ，float zone）Si单晶，并对真空气氛和直径增加所带来的晶体不稳定生长、高断面电阻率不均匀率和漩涡缺陷等问题的产生原因和解决方式进行了深入研究。结果表明，丹麦加热线圈表面带有台阶和十字开口，是提纯和生长φ大于45mm多晶Si和单晶Si的理想线圈；适当提高单晶转速和生长速度有利于降低断面电阻率不均匀率，且提高转速的效果更加明显；真空气氛下，提高热场对中性可抑制漩涡缺陷的产生，其对漩涡缺陷的影响比单晶Si生长速度更加显著，这是与Ar气气氛FZ不同的；多晶Si提纯次数越多单晶Si寿命越低，降低多晶Si原料中的P／B和重金属原始含量有利于提高单晶2Si寿命；若要制备少子寿命大于800μs，符合探测器级标准的φ52～65mm Si单晶，多晶Si原料少子寿命应大于3000μs。