全皮下植入型心律转复除颤器不恰当放电的原因和机制

过度感知心内信号(T波、P波、F波、f波或U波)、QRS波群多重计数、室上性心动过速频率过快、肌电干扰、空气滞留、电极导线与脉冲发生器故障、心肺复苏、体外电磁干扰、Sense-B噪声等多种原因,都可能导致探测到的频率到达除颤区,发生全皮下植入型心律转复除颤器的不恰当放电。发生不恰当放电后,建议程控重新调整参数,积极治疗基础疾病,必要时需要调整电极导线和脉冲发生器,或是植入经静脉植入型心律转复除颤器。

植入式心脏转复除颤器不恰当放电研究进展

植入式心脏转复除颤器(ICD)可用于心原性猝死高风险患者,降低远期死亡率。ICD植入后常见的不良反应为不恰当放电,可导致患者出现焦虑、抑郁等精神异常,甚至增加远期死亡率。加强对ICD误放电的认识,可更好地管理ICD植入患者。

不同参数设置对植入型单腔心律转复除颤器不恰当放电的影响

目的 探讨单腔植入型心律转复除颤器（ICD） 不同识别参数设置对不恰当放电的影响.方法 A组入选25例2007年至2008年植入单腔ICD的患者,术后经验设置室性心律失常与室上性心动过速鉴别参数.B组入选25例2009年至2010年植入单腔ICD的患者,术后开启稳定性、突发性和形态学标准.每例随访1年.观察两组室上性心动过速正确识别率和不恰当放电率.结果 与A组相比,B组对室上性心动过速正确识别率较高（68.0%、28.0%）,室上性心动过速放电率较低（24.0%、76.0%）,不恰当放电所致住院率较低（4.0%、20.0%）.A组不恰当放电引发室性心动过速2例.结论 术后启用三项鉴别参数能减少ICD不恰当放电.

植入型心律转复除颤器不恰当放电的原因分析

目的回顾性观察植入型心律转复除颤器(ICD)或心脏再同步治疗除颤器(CRT-D)植入术后不恰当放电患者的临床特征,分析ICD/CRT-D不恰当放电发生原因,探讨不恰当放电的处理方法,以期进一步减少不恰当放电风险.方法选择2011年1月至2018年1月至南京医科大学第一附属医院住院因心脏性猝死一级或二级预防植入ICD/CRT-D患者,随访术后出现不恰当放电的患者,分析不恰当放电的发生率、临床特点、不恰当放电原因以及处理方法.结果研究共纳入植入ICD/CRT-D患者289例,随访274例,失访1 5例,不恰当放电治疗的共21例,发生率7.66%.不恰当放电治疗的患者年龄(56.38±13.23)岁,年龄范围为24~78岁,其中男20例,女1例.2例患者因房性心动过速不恰当放电(9.52%),9例因心房颤动(房颤)伴快速心室率误诊断放电治疗(42.86%),6例因窦性心动过速不恰当放电(28.57%),2例因除颤导线磨损导致阻抗及感知异常致不恰当放电(9.52%),1例因室性心动过速区识别频率低而出现不恰当放电治疗(4.76%),1例因T波感知异常,双重计数不恰当放电(4.76%).结论 ICD/CRT-D不恰当放电的原因主要为室上性心律失常,包括房颤、房性心动过速以及窦性心动过速,可以通过提高诊断频率,调整心室间期稳定性参数以及打开心动过速突发性等方式避免不恰当放电.

心房颤动快速心室率致埋藏式心脏转复除颤器反复不恰当放电及处理一例

患者女性,75岁,1年前因"心室颤动、心房颤动伴6 s长间歇"植入双腔埋藏式心脏转复除颤器(ICD),术后一年频繁发作心房颤动伴快速心室率,晨起活动后自感多次电击感入院.入院后经过药物和ICD参数调整后,ICD无误放电,但患者快速心室率引起的症状仍未完全好转.考虑患者高龄、心脏已有结构性变化,与患者充分沟通后决定行房室结消融治疗.术后随访1年患者未再诉不适.

植入型心律转复除颤器植入后的临床效果评价

目的评价植入型心律转复除颤器(ICD)植入术后的临床效果。方法对遵义医科大学附属医院2008年6月至2018年11月收治的40例ICD术后患者行门诊及电话随访,收集相关数据,分析患者术后心律失常的发作特点、术后并发症以及ICD的治疗情况。结果40例患者中男性24例,女性16例;年龄24~88岁,平均(61.2±15.4)岁;随访时间3~90个月,平均(36.1±25.6)个月。随访期间所有患者均被ICD记录到有室性心律失常事件的发生,共计764次,其中230次非持续性室速事件自行停止,534次ICD治疗事件,室速462次(86.5%),室颤72次(13.5%),抗心动过速起搏(ATP)终止室速391次(84.6%),低能量复律(CV)终止室速71次(15.4%),高能量除颤(DF)终止室颤72次(100%)。6例(15%)患者发生不恰当识别和放电共20次。术中高频电刀止血患者术后均无囊袋血肿及感染,采用压迫止血法患者术后囊袋感染2例。随访期间4例患者死亡,发生在术后3~30个月。结论ICD植入后可有效地治疗室性心律失常,在术中使用高频电刀止血可减少术后囊袋出血感染的风险,优化ICD编程及加强抗心律失常药物治疗可减少术后不恰当放电的发生。

肥厚型心肌病患者12年除颤导线拔除及全皮下埋藏式心脏转复除颤器植入一例

患者男性,61岁。除颤器植入十余年后因电池耗竭、导线磨损,先后予以更换除颤器及新植入一根除颤导线,后出现囊袋感染,充分抗感染治疗病情稳定后顺利拔除三根导线,再次完善术前评估无需抗心动过速起搏及起搏治疗,遂改行全皮下埋藏式心脏转复除颤器植入,术后出现不恰当电击进行相应处理。

单中心评估除颤阈值对全皮下植入型心律转复除颤器放电事件的预测价值

目的探讨全皮下植入型心律转复除颤器(S-ICD)植入术中除颤阈值(DFT)测试对后期放电事件的预测价值。方法选择2017年1月至2021年6月在新疆医科大学第一附属医院植入S-ICD并至少随访3个月的患者,按照术中有无DFT测试及PRAETORIAN评分分为DFT测试组、DFT未测试组,PRAETORIAN评分≤45分组、>45分组。回顾性收集患者一般资料并分析其临床特点、放电事件和并发症等。初步探讨DFT测试对后期放电事件的预测价值,以及复律失败风险极低患者的不恰当放电概率是否随PRAETORIAN评分的增高而增大。结果研究纳入41例患者,其中男31例,年龄(54.9±15.0)岁,年龄范围18~85岁。所有患者均未出现术后并发症。中位随访4个月内,10例患者发生37次放电事件。DFT测试组与DFT未测试组不恰当放电患者数(1对1,P=1.000)及不恰当放电总次数(10对1,P=0.064)差异无统计学意义。PRAETORIAN评分≤45分组与>45分组不恰当放电患者数差异无统计学意义(0对2,P=0.133),不恰当放电总次数差异具有统计学意义(0对11,P<0.001)。结论S-ICD植入术中DFT测试对患者后期放电事件影响较小。复律失败风险极低患者的PRAETORIAN评分越高,不恰当放电可能性越大,该结论有待扩大样本量加以确认。

皮下埋藏式心脏转复除颤器技术研究进展

皮下埋藏式心脏转复除颤器(ICD)(S-ICD)技术是预防心源性猝死(SCD)的新尝试,避免了传统静脉ICD的导线并发症,适用于导线并发症发生率高、无起搏指征、预期生存时间长的年轻患者。众多临床研究证实了S-ICD在治疗SCD中的有效性、安全性。S-ICD系统主要由脉冲发生器、皮下电极、体外程控仪构成。S-ICD存在延迟放电、不恰当放电、高能放电、无起搏功能、兼容性等尚存争议的问题。S-ICD在一定适应证范围内有潜在大的应用前景。