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非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真
被引量:
5
1
作者
刘远
姚若河
李斌
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期15-18,33,共5页
针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为...
针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为空间电荷限制传导,此即为器件中产生不饱和输出电流的主要原因;而在短沟道器件中,还需要同时考虑漏致势垒降低效应的影响.
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关键词
非晶硅
薄膜晶体管
不饱和输出电流
数值仿真
空间电荷限制传导
漏致势垒降低
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职称材料
题名
非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真
被引量:
5
1
作者
刘远
姚若河
李斌
机构
华南理工大学电子与信息学院
出处
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期15-18,33,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60776020)
Cadence公司基金资助项目
文摘
针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为空间电荷限制传导,此即为器件中产生不饱和输出电流的主要原因;而在短沟道器件中,还需要同时考虑漏致势垒降低效应的影响.
关键词
非晶硅
薄膜晶体管
不饱和输出电流
数值仿真
空间电荷限制传导
漏致势垒降低
Keywords
amorphous silicon
thin-film transistor
unsaturated output current
numerical simulation
space charge-limited conduction
drain-induced barrier lowering
分类号
TN321 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真
刘远
姚若河
李斌
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
5
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