透明电介质激光诱导电击穿的时间量子理论

1 引言 激光诱导透明电介质的电击穿是个老课题。70年代以前主要集中应用于气体和固体研究。80年代以后人们开始应用于研究液体。理论方面也做了大量的工作。Bettis等人建立了关联固体、气体和液体激光诱导电击穿阈值的经验关系。已有两种解释激光诱导电击穿的机理,即电子雪崩电离理论和多光子极子理论。

场效应管时间相关介质击穿的失效机制研究

TDDB(Time dependent Dielectric Breakdown)时间相关介质击穿,表征与时间相关的介质电击穿。在金属场效应管器件里是用来测试栅氧层可靠性的关键参数。PEM(process evaluation module)可靠性测试片上发现,多晶叉齿结构更易造成TDDB失效。交叉实验研究表明氮化硅上顶层金属在热过程下的形变是TDDB在PEM结构上失效的主要原因。可以通过降低退火温度和氮化硅压应力的补偿来改善,可有效解决TDDB失效。同时发现介质层ILD的膜质组成也会对TDDB失效有一定影响。

金属电迁移测试过程中的电介质击穿效应

金属互连电迁移有断路失效和短路失效两种常规失效模式,其中短路失效是由于发生了析出效应。目前对电迁移断路失效的研究较多,但是对于析出效应（短路失效）的研究较少。研究发现在金属电迁移析出效应监测过程中易产生两种电介质击穿效应,分别为在实验刚开始发生的瞬时电介质击穿（TZDB）效应和测试过程中产生的时间依赖性电介质击穿（TDDB）效应。此外,电介质层材料的介电常数值越高,其耐电介质击穿的能力越高。析出效应的监测电场强度的设定值应该同时考虑电介质层材料与测试结构的特性,监测电场强度的设定范围建议为0.15~0.24 MV/cm,以防止在析出效应监测过程中发生电介质击穿,混淆两种不同的失效机理,造成误判。

相控断路器选相关合问题分析及应用研究

选相合闸技术能大大降低断路器合闸操作过程中的暂态过电压和涌流,提高电力设备寿命及电力系统的稳定性,在超、特高压系统中得到了大力发展和应用。伴随着应用增多、挂网运行时间增长,提前预击穿、过电压/涌流增大等选相关合问题时常发生。以相控断路器为研究对象,针对其在选相关合过程中出现的问题,采用理论分析及试验验证方法,结合选相控制技术的基本理论和原理进行了原因分析。实际合闸时间t偏离预期合闸时间T较大是导致相控断路器选相关合问题发生的根本原因。

刀板电极下纳米粒子对液体击穿电压的影响

针对液体电介质在非均匀电场下畸变严重的问题,选用碳酸丙烯酯为研究对象,配置了AlO纳米流体,测量了刀板电极下纳米AlO改性前后碳的操作冲击击穿电压及稳定性。实验表明:纳米改性后,正极性击穿电压提升了28%,负极性操作电压略有下降;由于不均匀电场造成的极性效应由128%降低到99%,表面纳米粒子可以削弱甚至消除由电场畸变引起的极性效应。并且加入纳米粒子后,电子的移动速度大大降低,对正极性操作冲击电压下的流注发展起到了阻碍作用,由此改善了击穿特性。本文结论可为提高变压器油的绝缘性能提供参考。

材料

Y2000-62135-131 0017883应用氟氧化物的可制造、可靠的低介电常数内金属电介质=A manufacturable and reliable Low-K intermetaldielectric using fluorinated oxide[会,英]/Chang,W.&Jang,S.M.//1999 IEEE Proceedings of InternationalInterconnect Technology Conference.—131～133(EC)介绍了采用氟氧化物(FSG)的可制造和可靠的低介电常数内金属电介质。对薄膜的特性如厚度,R.I.应力,含氟量及热稳定性作了描述。实验表明:具有低氟含量(4.7%)未掺杂氧化物的完全 FSG 内金属电介质.

电信号特性测量与设备

Y98-61452-169 9915821在薄非晶层 SiO2中的击穿统计滞后时间的测量=Measurements of statistical lay time of breakdown in thinamorphous layers of SiO2[会,英]//1998 IEEE Interna—tional Symposium on Electrical Insulation,Vol.1.—169～172（AG）文中介绍了金属-氧化物.半导体（MOS）结构中击穿的实验检验情况。从结果情况来看,需开发用于研究非晶固态薄膜击穿用的液态电介质材料的理论方法。表明固体非晶电介质层对于测试液体击穿的电离机理是一个相当好的模型系统。参69915822一种快速高精度测频方法[刊]/郑丹玲//重庆邮电学院学报.—1999,11（2）.—56～57,62（C）