4A沸石分子筛晶体生长过程

文章利用透射电子显微镜研究了4A 沸石晶体生长过程,并测定了一次粒度值.研究表明,随着浆化、晶化、老化条件的变化,4A 沸石颗粒的形状及颗粒粒度分布也发生变化;(NaPO_3)_6与超声振动相结合,4A 沸石晶粒能被有效地分散;在适宜的条件下形成的4A 沸石,晶粒分布范围窄,近于正态分布,晶体的白度大干等于95%,钙交换能力不小于300mg CaCo_3/g 无水沸石.

氯化钾间歇冷却结晶生长规律及粒度控制实验研究

采用聚焦光束反射测量技术(FBRM)考察了氯化钾(KCl)间歇冷却结晶过程中晶体成核和生长规律,重点研究了降温速率对KCl水溶液冷却时产生过饱和度的影响,以及添加晶种的相关条件(如晶种粒径和添加量等因素)与KCl晶体产品粒度的关系。同时,采用直接冷却刺激起晶产生“晶种”,并控制其生长达到控制晶体产品粒度的目的。结果表明,在添加晶种条件下,程序降温过程产生的低过饱和度不易引起爆发成核,且晶种的添加量决定着晶体产品的平均粒度与理想生长模型的偏差。另外,降温速率是冷却刺激起晶产生“晶种”粒径的关键因素。

种分法制备超细氢氧化铝过程中的粒度控制

超细氢氧化铝具有许多优点,应用广泛。超细氢氧化铝的粒度分布和颗粒形貌对产品的性能有很大影响。根据湿化学法颗粒成核与生长机理从理论上分析了超细氢氧化铝制备过程中需控制的工艺条件,研究了二段分解工艺中晶种添加量和温度等对分解产品粒度分布的影响,得出了温度和种子添加量对氢氧化铝粒度分布的影响规律。

氯酸钠真空结晶工艺粒度控制

氯酸钠晶体粒度是用户最为关注的一项质量指标。介绍了氯酸钠真空结晶的工艺过程;着重研究氯酸钠真空结晶工艺结晶机理及生产过程中影响晶体成核速率和晶体生长速率的各项因素。详细叙述了结晶区间、外循环速率、晶种、小循环方式对晶体成核速率的影响,以及结晶器内液位高度、液体密度、温度对晶体生长速率与生长时间的影响。得到了真空结晶工艺生产粒度较大且均匀的氯酸钠晶体的具体操作方案。

氨水介质中硫酸钾结晶界面能对结晶的影响

采用诱导期的方法测定界面能。选用了不同添加剂 ,如六次甲基四胺、高价铁离子、磁场、十二烷基苯磺酸钠、OP乳化剂等 ,与空白实验结果对比 ,研究各种添加剂对硫酸钾的结晶过程的影响。结果表明 :可以利用添加剂来增大结晶过程中的界面能 ,从而抑制自发成核过程的发生 ,促进晶体的生长。通过实验选择出了高价金属离子或阻垢剂 ,如三价铁离子或十二烷基苯磺酸钠 ,都能达到增大结晶界面能 ,改善晶体粒度的预期目的。

结晶器数学模型的广义矩变换解法

结晶器数学模型由粒数衡算方程、溶质质量衡算方程、晶体生长和成核动力学方程及相应的初值与边界条件组成,为一组偏微分-常微分方程。把矩变换的定义从整数域扩展到实数域并扩展定义晶体尺寸后,矩变换能将与粒度有关的生长的结晶器模型化为一组常微分方程。对Bransom模型、ASL模型、Strong模型描述的三种结晶器模型进行变换后导出了相应的常微分方程组,为最一般的结晶器数学模型的求解提供一种通用的方法。以分批式结晶器为例,给出了一个算例。

重结晶法级配六硝基茋(HNS)的实验研究

采用溶剂-非溶剂法重结晶级配六硝基芪（HNS），研究在同一系统中同时实现六硝基芪重结晶细化为不同粒径颗粒的粒度级配体系。以二甲基甲酰胺（DMF）为溶剂，水为非溶剂，通过改变溶液温度、溶液浓度、搅拌速度和滴加速度4个影响因素，研究其与系统中HNS的粒度大小和分布的关系，最终确定了两种粒度（1-2μm,10-15μm）级配的最佳工艺条件，以及对级配产生主要影响的因素为溶液浓度和溶液温度，并从理论上进行了分析。

种分法制备超细氢氧化铝过程控制影响因素研究

本文介绍了种分法制备超细氢氧化铝的结晶过程,重点研究温度对超细氢氧化铝的分解率和晶格发育的影响,以及不同晶种添加量对分解率和成品粒度的影响,对超细氢氧化铝生产工艺技术、提高产品质量等具有重要的指导意义。通过本试验可以得出:分解温度对分解率和晶格生长的作用是双向的,温度越高,诱导期缩短,但分解率降低;温度越高氢氧化铝的晶格生长越完整。因此,为了兼顾氢氧化铝的分解率、晶格完整性及产品粒度分布,需要精确控制分解温度与晶种添加量。