四值与非门离散逻辑电路的研究

采用双极型晶体管设计出了四值TTL非门和与非门 ,均属于离散逻辑电路 .这类门电路可以用于构成四值组合逻辑电路和时序逻辑电路 ,也可以和DYL系列电路配合使用 .

与非门(NAND)的DNA计算模型

近年来,随着DNA计算研究的深入,基于DNA的布尔电路的模拟成为其中一个热门的研究方向.分子信标是一种特殊的探针分子,广泛应用于各种生物技术的检测方面,具有结果稳定,特异性强的优点,本文提出了一种基于诱导"发夹"形式的DNA与非门模型,和已有的模型相比,该模型具有简单,可靠性更高且可以重复使用等优点.

基于Multisim 10的与非门实现多种逻辑功能的设计与仿真

文章介绍了在Multisim 10的工作平台下,对二输入与非门74LS00的逻辑功能进行了测试,并利用74LS00设计实现了异或、同或等多种逻辑功能的仿真测试。实验表明,Multisim 10具备实验成本低、实验速度快、实验效果直观等优点。

数学解题技能与非逻辑思维

学习数学是为了解决问题。因此技能比仅仅掌握一些知识更重要,具备一定程度的解题技能就成为首先考虑的问题。所谓解题技能就是解题能力,它包括分析问题的思维能力,解题方法和技巧。而思维能力在某种程度上决定着解题方法和技巧。但数学问题浩如烟瀚,千变万化,且新的问题层出不穷,一个人要解决这些问题,恐怕耗尽毕生精力也于事无补。这就要求每个人必须重视方法,通过相关联的数学问题概括出隐含着的普遍规律。要找到解决问题的方法,必须找寻适当的思维形式以达到解决问题的目的。我们知道,以思维过程是否遵循一定的逻辑规则为标准,可将思维分为逻辑思维和非逻辑思维,而作为创造性思维的重要组成部分的非逻辑思维,在数学领域内有着广泛的应用,特别是在解决一些数学问题时,恰当运用逻辑思维有着事半功倍的效果。

基于逻辑区间热度的NAND闪存垃圾回收算法

针对现有的NAND闪存垃圾回收算法中回收性能不高,磨损均衡效果差,并且算法内存开销大的问题,提出了一种基于逻辑区间热度的垃圾回收算法。该算法重新定义了热度计算公式,把连续逻辑地址的NAND内存定义为一个热度区间,以逻辑区间的热度来代替逻辑页的热度,并将不同热度的数据分开存储到不同擦除次数的闪存块上,有效地实现了数据冷热分离,并且节约了内存空间。同时,算法还构造了一种新的回收代价函数来选择回收块,在考虑回收效率的同时,还兼顾了磨损均衡的问题。实验结果表明,该算法与性能优异的FaGC算法相比,总的擦除次数减少了11%,总的拷贝次数减少了13%,擦次数最大差值减少了42%,内存消耗能减少了75%。因此,该算法有利于增加闪存可用空间,改善闪存系统的读写性能,延长闪存使用寿命。

3D NAND Flash 的片上控制逻辑电路设计

本文设计并实现了基于MCU的控制逻辑电路,并在仿真环境下进行了功能验证,用Design Compiler完成逻辑综合.结果表明,MCU工作正常,所占面积为0.35 mm^2,在33 MHz的工作频率下动态功耗为7.52 mW,符合设计目标.与传统的控制逻辑电路相比,基于MCU的控制逻辑电路具有更高的可修改灵活性,极大降低了升级产品的流片成本,缩短控制逻辑电路设计更新周期约50%.

基于逻辑页冷热分离的NAND闪存磨损均衡算法

针对现有的NAND闪存垃圾回收算法对磨损均衡考虑不足的问题,提出了一种基于逻辑页冷热分离的NAND闪存磨损均衡算法。算法同时考虑了无效页的年龄、物理块的擦除次数以及物理块更新的频率,采用混合模式选择回收符合条件的物理块。同时,推导了一种新的逻辑页热度计算方法,并将回收块上有效页数据按照逻辑页的热度进行了冷热分离。实验结果表明,与GR算法、CB算法、CAT算法以及Fa GC算法相比,该算法不仅在磨损均衡上取得了很好的效果,而且总的擦除次数与拷贝次数也有了明显减少。

基于逻辑区间冷热分离的NAND闪存垃圾回收算法

针对现有的NAND闪存垃圾回收算法对回收效率和磨损均衡考虑不足,以及算法内存开销大的问题,提出了一种基于逻辑区间冷热分离的NAND闪存垃圾回收算法.该算法同时考虑了回收效率和磨损均衡,采用了一种回收效率和磨损均衡比重动态可调的回收块选择策略.同时,算法还提出一种新的逻辑区间热度计算的方法,并将回收块中的有效页数据按照逻辑区间的热度分为热数据、温热数据和冷数据,以实现对有效页数据的冷热分离.仿真实验结果表明,该算法相比于GR、CB、CAT、FaGC以及LRGC算法,不仅在磨损均衡、总的擦除次数以及总的拷贝次数方面取得了更好的效果,而且内存消耗也大幅度减少.

考虑物理块年龄和逻辑页热度的NAND闪存磨损均衡算法

在NAND闪存存储系统的垃圾回收过程中,重新定义物理块的年龄和数据热度的计算方法,混合使用热块挑选策略和冷块挑选策略回收热数据块和冷数据块,并将回收块中的有效数据按照逻辑页的热度分为"热"数据和"冷"数据,分别写入到擦除次数最小的块和擦除次数最大的物理块中,减少在回收块的过程中多次对"冷"数据重复无意义拷贝.仿真实验结果表明,与当前主要几种磨损均衡算法相比,在保证回收效率的前提下,取得了很好的磨损均衡效果,同时,擦除次数和拷贝次数大幅度减少.

一种基于“与非”逻辑数字化测量气体浓度的新方法

简介了新型四与非逻辑运算阻容/脉冲转换技术的基本电路及工作原理;讨论了该电路用于气体浓度测量时的非线性修正、刻度方程线性化、测量灵敏度等实用技术问题.

论决策中的逻辑性与非逻辑性

论决策中的逻辑性与非逻辑性赵国栋决策是指人们为实现一定的目标，将信息进行分析综合，进而制定系统化、理论化和具体化的行动方案并准备实施的过程。决策的实质是认识向实践转化的中介，也是决策者运用思维与认识指导实践的过程。在这个复杂的认识过程中，决策者需要运...

科学发现中的逻辑思维与非逻辑思维

我们这里所指的科学发现，仅指经验自然科学领域中科学理论的发现。一种科学理论的确立，大致要经历科学理论的发现和科学理论的检验两个具有相对性质的阶段。科学发现所具有的意义、价值和迷人色彩，既吸引着无数志士能人献身于科学发现的崇高事业，又吸引了许多人对科学发现过程本身进行探讨。

一种先进CMOS工艺下抗单粒子瞬态加固的与非门

先进纳米集成电路工艺的发展使得微电子器件翻转的阈值电荷不断降低,导致数字电路中由单粒子效应引起的软错误率增加。为加强集成电路中标准单元的抗辐射特性,本文提出了一种抗单粒子瞬态(single-event transient,SET)加固的与非门结构。在三阱工艺下,通过将下拉网络中每一个NMOS管的衬底和源极各自短接,便有效地提高了与非门抗辐射性能,而且随着输入端数目的增加,本文提出的与非门加固效果更加明显。利用Sentaurus TCAD软件的混合仿真模式进行粒子入射仿真实验,对于与输出节点相连的NMOS管采用经过工艺校准的三维物理模型,其他MOS管采用工艺厂商提供的Spice模型。结果显示:在40 nm工艺下,当入射粒子线性能量传输(linear energy transfer,LET)值为10 MeV·cm^(2)/mg时,本文提出的2输入与非门能够在3种输入的情况下降低输出电压扰动幅度。其中在N_(2)管关闭的输入模式下,达到了对单粒子入射免疫的效果;对于3输入与非门,即使在“最坏”输入的情况下,也能使输出电压翻转幅度降低85.4%。因此,本文提出的与非门加固方法起到了显著的抗单粒子瞬态效果。

变换至“与非”和“或非”逻辑的规则

数字系统和计算机设计中,经常遇到把任意布尔函数变换至"与非"和"或非"逻辑的问题。本文从理论上给出了这种变换的普遍规划和实际中的若干应用实例。

逻辑的与非逻辑的——评微型小说《回报》

《回报》的题材不是很新鲜,属于眼下司空见惯的那类社会现象:经济大潮下,人心浮动,经受不起金钱的诱惑,离了本业。连为人师表的教师亦不例外。叙述也不见大机巧,平铺直叙,似乎没有太大的可供想象的空间。读完之后,觉得这是一篇以平实见长的微型小说。说它"长",是说作者努力保持客观的叙述,以显示出生活的逻辑来。更准确地说,是生活的逻辑与非逻辑。家属被辞在家,为生计。

基于RT器件的三值与非门、或非门电路设计

共振隧穿(resonant tunnel,RT)器件本身所具有的微分负阻(negative differential resistance,NDR)特性使其成为天然的多值器件.文中利用RT器件的负阻特性,以开关序列原理为指导,设计了基于RT电路的开关模型,实现了更为简单的三值RT与非门和或非门电路,并利用MOS网络模型,通过SPICE软件仿真验证了所设计电路的正确性.该设计思想可推广到更高值的多值电路设计中.

一种新型NAND Flash坏块管理算法的研究与实现

本文在研究NAND Flash常用坏块管理方法的基础上,提出了一种基于FPGA的NAND Flash坏块管理方案。该方案运用坏块替换策略,将所有块分为数据块区和好块保留区,通过在FPGA片内RAM建立基于位索引的坏块位标记表BBT(bad block table)和块保留映射表RTT(reserved translate table)实现坏块的识别和替换,同时将两表保存于NAND Flash中,保证了坏块信息的非易失存储和坏块查询的高速性能。本方案全面考虑了坏块产生、坏块识别、坏块信息存储、坏块高速替换,是坏块管理的完整解决方案。经实验表明该方案具有坏块信息容量小、替换速度快、实现可靠等优点。

四值非门和与非门电路的研究

采用双极型晶体管设计出了四值TTL非门和与非门电路,实际电路具有较好的输入输出特性、较强的负载能力和抗干扰能力,噪声容限可达到±0.6 V。其与非门电路不仅全部由NPN型晶体管构成,且结构非常简单,容易做成集成电路。实际电路具有实用价值,可用作构造四值数字系统、人工神经网络和模糊逻辑系统的基本单元电路。