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混合型CMOS-忆阻与非/或非单元的设计及应用
1
作者
饶历
李路平
林弥
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2023年第2期13-18,共6页
针对级联型运算单元的延迟问题,设计了一种新的CMOS-忆阻与非/或非逻辑电路结构。首先,采用阈值型压控忆阻器模型,以忆阻器和CMOS晶体管为核心,设计了一款混合型CMOS-忆阻与非/或非逻辑运算单元,有效减小了延迟时间;然后,将混合型CMOS-...
针对级联型运算单元的延迟问题,设计了一种新的CMOS-忆阻与非/或非逻辑电路结构。首先,采用阈值型压控忆阻器模型,以忆阻器和CMOS晶体管为核心,设计了一款混合型CMOS-忆阻与非/或非逻辑运算单元,有效减小了延迟时间;然后,将混合型CMOS-忆阻与非/或非逻辑运算单元应用到了八线三线编码器电路的设计中,通过控制不同的输入信号能得到对应的二进制编码信号;最后,通过PSPICE仿真验证了设计电路的正确性。
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关键词
阈值型压控忆阻器
CMOS-忆阻混合电路
与非/或非
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职称材料
题名
混合型CMOS-忆阻与非/或非单元的设计及应用
1
作者
饶历
李路平
林弥
机构
杭州电子科技大学电子信息学院
出处
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2023年第2期13-18,共6页
文摘
针对级联型运算单元的延迟问题,设计了一种新的CMOS-忆阻与非/或非逻辑电路结构。首先,采用阈值型压控忆阻器模型,以忆阻器和CMOS晶体管为核心,设计了一款混合型CMOS-忆阻与非/或非逻辑运算单元,有效减小了延迟时间;然后,将混合型CMOS-忆阻与非/或非逻辑运算单元应用到了八线三线编码器电路的设计中,通过控制不同的输入信号能得到对应的二进制编码信号;最后,通过PSPICE仿真验证了设计电路的正确性。
关键词
阈值型压控忆阻器
CMOS-忆阻混合电路
与非/或非
Keywords
threshold voltage-controlled memristor
CMOS-memristor hybrid circuit
NAND/NOR
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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1
混合型CMOS-忆阻与非/或非单元的设计及应用
饶历
李路平
林弥
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2023
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