3D NAND闪存的层间差异特性的研究

3D堆叠技术的引入大幅提升了与非型闪存(NAND flash)存储容量,但由于制程工艺的影响,导致不同层的存储单元会出现差异,而且随着堆叠层数的增加,不同层的存储单元的特性差异将更加明显。为了研究制程差异对闪存层间性能的影响,通过硬件设备对闪存芯片特性进行实测,得到了不同层的存储单元在不同噪声下的原始误码率和阈值电压分布关系。实验结果显示,随着编程/擦除次数的增加和数据保持时间的增长,不同层的存储单元的性能差异将更加明显,需要借助先进的信道检测技术来改善存储性能。

三维存储器的存储单元形状对其性能的影响

简要介绍了三维存储器出现的背景和几种得到广泛关注的三维存储器;建立模型分析了位成本缩减(BiCS)、垂直堆叠存储阵列(VSAT)和垂直栅型与非闪存阵列(VG-NAND)三种代表性的三维存储器的存储单元的形状对其性能的影响,从理论分析的角度比较了三种存储单元结构对其存储性能的影响;采用Sentaurus软件对三种存储单元的性能进行仿真,从编程/擦除时间、存储窗口和保持性能三个方面比较了三种存储单元结构的存储性能。理论分析结果和仿真结果都一致地表明BiCS结构的圆柱孔形存储单元比其他两种存储单元更有优势。

NAND Flash在嵌入式系统中的应用

首先比较了嵌入式系统中两种常用的Flash器件,指出Nand-Flash的优势。然后以SUMSANG公司的K9F1G08为例介绍了Nand-Flash的组织结构与硬件接口。最后简要论述了Nand-Flash驱动程序的编写要点。

基于ARM的引导加载技术的研究与实现

为了减小嵌入式系统的体积和价格,对嵌入式中两种主要的闪存:NOR Flash and NAND Flash进行了研究。由于NORFlash存在布线多、成本高、存储容量小、擦写速度慢等缺点,根据嵌入式系统可裁减可移植的特点,在对ARM处理器的启动方式进行分析和比较的基础上,裁掉NOR Flash芯片,仅用NAND Flash芯片引导和启动系统。并着重阐述了采用有效的存储结构提供可靠的坏块管理机制,采用多级引导方式,实现基于NAND Flash的引导。从而节省NOR Flash芯片,降低了成本。

基于ECC校验算法的记录器设计

鉴于K9MDG08U5M在存储过程中出现的错"位"现象,提出利用ECC算法对数据进行校验和纠错。由于该款NAND FLASH一页数据出现的错"位"现象有时不止一位,而一般的ECC算法其纠错能力只有1bit/4kB,故一种纠错能力更强的新型算法将被设计和实现;该新型算法具有8bit/4kB的纠错能力和16bit/4kB的检错能力,且已成功应用于某数据采集存储系统中。