SPIE-Vol.4290 0314251SPIE 会议录,卷4290:光电集成电路与封装=Proceed-ings of SPIE,Vol.4290:Oproelectronic integrated cir-cuitS and packaging[会,英]/SPIE-The International So-ciety for Optical Engineering.—170P.(E)本会...SPIE-Vol.4290 0314251SPIE 会议录,卷4290:光电集成电路与封装=Proceed-ings of SPIE,Vol.4290:Oproelectronic integrated cir-cuitS and packaging[会,英]/SPIE-The International So-ciety for Optical Engineering.—170P.(E)本会议录收集了在美国 San Jose展开更多
O484.41 2003042950ZnO薄膜制备及其发光特性研究=Preparation and propertyinvestigations of magnetron sputtered zinc oxide thinfilms[刊,中]/王晶(北方交通大学光电子技术研究所信息存储,显示与材料开放实验室.北京(100044)),张...O484.41 2003042950ZnO薄膜制备及其发光特性研究=Preparation and propertyinvestigations of magnetron sputtered zinc oxide thinfilms[刊,中]/王晶(北方交通大学光电子技术研究所信息存储,显示与材料开放实验室.北京(100044)),张希清…∥光电子·激光.-2002,13(11).-1116-1119用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响。通过对样品的X射线衍射(XRD)、吸收光谱和光致发光(PL)光谱的测量结果表明,衬底温度为230℃。展开更多
文摘SPIE-Vol.4290 0314251SPIE 会议录,卷4290:光电集成电路与封装=Proceed-ings of SPIE,Vol.4290:Oproelectronic integrated cir-cuitS and packaging[会,英]/SPIE-The International So-ciety for Optical Engineering.—170P.(E)本会议录收集了在美国 San Jose
文摘O484.41 2003042950ZnO薄膜制备及其发光特性研究=Preparation and propertyinvestigations of magnetron sputtered zinc oxide thinfilms[刊,中]/王晶(北方交通大学光电子技术研究所信息存储,显示与材料开放实验室.北京(100044)),张希清…∥光电子·激光.-2002,13(11).-1116-1119用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响。通过对样品的X射线衍射(XRD)、吸收光谱和光致发光(PL)光谱的测量结果表明,衬底温度为230℃。