可分离双参考光两次曝光全息法测机械变形方向

提出用可分离双参考光两次曝光全息测量物体变形方向的方法,设计的光络系统用两个平面反射镜将一束扩展激光束分成两束参考光和一束物光,藉此记录物体变形下的可分离双参考光两次曝光全息干涉图。这种干涉图含有物体变形的数值和方向的两种信息,从理论上对此作了分析,叙述了测量物体变形方向的方法,给出了试验结果。

单光束分波前调制参考光两次曝光全息测位移方向

本文提出用单光束分波前调制参考光两次曝光全息测量物体位移方向的方法。在两次曝光全息图的记录过程中,置于物体一侧的反射镜作微位移,反射镜反射的参考光被调制,由此记录的双曝光全息图含有物体位移方向的信息。在测量光路系统中,设置了两张全息干版,一张用于记录单光束分波前调制参考光两次曝光全息干涉图;另一张记录非调制双曝光全息干涉图。前者用来分析物体的位移方向,后者用于计算物体位移的数值。通过分析,从理论上确定了物体位移方向与反射镜位移方向之间的基本规律。文中着重阐述了位移方向的测量原理,导出了相关公式,给出了实验结果。

流矢图的单帧两次曝光记录

利用电视ＰＡＬ制式的隔行扫描原理，把摄像机拍摄的一幅图象拆分为前后两场，经过最小误差示踪粒子匹配方法的图象处理，获得了较好的瞬时流矢图．

简并四波混频实时两次曝光干涉计量

利用LiNbO3 ∶Fe晶体的光响应时间特性 ,提出了简并四波混频相位共轭进行实时两次曝光干涉测量的方法 .它具有普通全息干涉计量的实时法和两次曝光的综合特性 。

利用LiNbO_3∶Fe晶体简并四波混频的实时两次曝光干涉计量

利用LiNbO3∶Fe晶体的光响应时间特性 ,提出了利用简并四波混频相位共轭进行实时两次曝光干涉测量的方法 它具有普通全息干涉计量的实时法和两次曝光的综合特性 。

双参考光两次曝光激光全息法测材料机械变形方向

本文利用2个平面反射镜将1束扩展激光束分成2束参考光和1束物光的光路设计,采取双参考光两次曝光的激光全息方法,记录材料在加载情况下机械变形的双参考光两次曝光全息干涉图;对全息干涉图所含有的材料机械变形的数值信息以及材料机械变形的方向信息,进行了理论分析和定量讨论;给出了一般情况下用本技术测量和计算材料机械变形方向的方法,列出了本技术测量的实验数据和结果。

两次曝光模拟HDR效果

通过混合曝光的方式模拟HDR效果，对过曝的天空和欠曝的地面图像来说，只需各取所长，就能得到最佳结果。

两次曝光全息层析装置

编号：0501241该专利是一种两次曝光全息层析装置。

两次散斑曝光法测定介质折射率

本文介绍了一种利用两次散斑曝光技术测量介质折射率的实验方法．原理简单、操作方便、测量精度高．

用全息干涉计量法测材料的线膨胀系数

该文介绍了全息干涉计量法测量材料线膨胀系数的实验原理和实验装置。并对具体的样品进行了实验测量,取得了初步的结果,并采取了进一步改进实验、减小实验误差的措施。对全息干涉计量方法的此类应用进行了有益的尝试。

先导光刻中的光学邻近效应修正

按照逻辑器件发展的节点顺序,依次论述了各种光学邻近效应修正技术:基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、曝光辅助图形、光源和掩模版的优化、反演光刻技术以及两次曝光技术等。概括了各种技术出现的逻辑技术节点、数据处理流程、修正的表现形式和效果、优势和发展前景等。最后就先导光刻工艺的研发模式(先建立光学和光刻胶模型,再进行"计算光刻"),论证了光刻工艺的研发必须和光学邻近效应修正的数据流程实现互动的观点,即任何光刻工艺参数的变动都会影响到"计算光刻"模型的准确性,需要重新进行修正,以避免原计算可能导致的失败。因此,光学邻近效应修正是先导光刻工艺研发的核心。

时间平均全息照相

本文讨论了一个时间平均全息照相实验,并简单说明了实验结果,这一实验适合大学实验水准。

第三讲 云纹干涉法

1 引言本篇介绍了云纹干涉法的发展历史,光学原理,实验技术,在断裂测试中的应用及其发展前景。本篇采用的一种非常简单的方法来定量地解释云纹干涉条纹及其形成,使不熟悉波前干涉理论的初学者易于接受,而又不失其理论上的严谨。云纹干涉法(Moire Interferometry)是在经典云纹法基础上发展起来的一种光测力学新方法。它继承了经典云纹法的简易性、全场性、实时性、条纹定域在表面及不受试件材料限制等的优点,加之测量灵敏度高(可达0.25μm),条纹反差好,而越来越受到实验力学工作者的重视。同时,云纹干涉法综合了经典云纹法和全息干涉的概念和技术。

0.1微米级MOS器件制作与特性研究

对 0 .1微米级 MOS器件的制作方法进行了研究 ,并提出了两次曝光的新方法。文中还介绍了芯片制作所用版图设计和实际制作过程 ,得到了最小沟道长为 0 .12微米的 MOS器件。最后对沟长 0 .12、0 .19和 0 .2 5微米的 MOS器件特性进行了测试 ,得出了 0 .1微米级

降低双重图形光刻的成本

双重图形（DP）将是32nm技术节点的备选光刻技术之一。但由于这种方法需要两次曝光和两次刻蚀步骤,因此工艺成本较高且比较耗时。IMEC及其研发伙伴已经详细研究了替代工艺流程,从成本、关键尺寸均匀性（CDU）、线条粗糙度（LR）和套刻精度的角度,对工艺流程和材料进行了评估。

应用随机漫射器的图象相减方法

用光学方法进行图象加减对图象处理是很有用处的。例如航空、卫星照片。利用图象相减技术可以显示出由于大气扰动、地表自然现象变化等在同一地区不同时间拍摄所得的照片的差别。用于图象相减的方法很多．如一次曝光全息法、两次曝光全息法、

22纳米节点的光刻方案之争

近年来193nm浸没式光刻炙手可热，不但成了65／45nm节点主流技术，而且在32nm的争夺中也毫不落下风，可能会延伸至22nm，人们甚至一度讨论起193nm会否就是“最后的波长”。通常认为，在22nm节点时不但需要折射率高于1．6的浸入液，还需采用所有已知的分辨率增强技术，包括最昂贵的Pitch．Splitting方法。所谓Pitch-Splitting是将半间距为22nm的掩膜图形仔细地分拆成两套32nm的掩膜，然后采用32nm制程进行双重曝光。由此可见，22nm节点应该就是可扩展的极限，届时193nm浸没式已成强弩之末，需要解决很多技术难题，比如，怎样将图形友好地分离，这需要进行分离算法和软件的研发；如何实现两次曝光问的精确对准并抑制交叉曝光所引起的临近效应？同时由于双重曝光会导致产率（throughput）骤降40％，193nm浸没式在成本方面的优势也将不复存在，这就为其他的光刻技术打开了竞争之门。

激光全息干涉技术在无损检测中的应用

本文介绍一种利用全息干涉法对高压合成绝缘子制造缺陷进行无损检测的器。分析研究了这种仪器的工作原理和关键技术。

生产放心明胶是明胶生产企业的天职

2004年,中央电视台曾于3月1日和5月26日两次曝光揭露山东滨州胜利明胶厂、山东博兴兴隆明胶厂等数家明胶厂利用从韩国进口的垃圾革皮生产食用明胶的违法事件.

微常识

布莱顿学派：它为电影史上最早的一个电影学派，出现在20世纪最初的10年，代表人物是斯密士和威廉逊。他们原为英国布莱顿地区的海滨照相师，深受卢米埃尔纪实美学思想的影响，但突破了其简单复制生活的局限性，同时吸收了梅里爱的美学思想。布莱顿学派一般取材于普通小人物的生活和劳动。在电影语言方面，最早采用了两次曝光、叠印等技巧，代表作品为斯密士的《祖母的放大镜》。