Ni_uPt_(1-u)Si_vGe_(1-v)/Si_(0.72)Ge_(0.28)界面形貌的改善

针对锗硅在形成金属锗硅化物时存在部分应力释放、界面形貌特性变差的问题,提出了在Si0.72Ge0.28上分别外延薄硅(Si)覆盖层和锗硅(Si0.72Ge0.28)缓冲层的工艺方案。实验结果表明,通过两步快速热退火,两个方案的工艺条件都能形成低阻的NiuPt1-uSivGe1-v和改善NiuPt1-uSivGe1-v/Si0.72Ge0.28的界面形貌。但相比较而言,在Si0.72Ge0.28上外延10 nm Si覆盖层的方案能够形成更好的NiuPt1-uSivGe1-v/Si0.72Ge0.28界面形貌。与没有改进的方案相比,该方案形成的肖特基接触更具有更低的肖特基接触势垒高度,更易形成欧姆接触。