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C轴倾斜AlN薄膜的制备研究
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作者 杜鹏飞 熊娟 +2 位作者 吴雯 谢红 顾豪爽 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2011年第4期483-485,共3页
采用射频磁控反应溅射,利用两步气压法在Pt电极上制备C轴倾斜的A1N压电薄膜.用X射线衍射仪(XRD)分析两步气压下制备的A1N薄膜的择优取向,用扫描电镜(SEM)观察薄膜的截面形貌.实验结果表明在优化工艺参数条件下制备的AlN薄膜为C轴倾斜的... 采用射频磁控反应溅射,利用两步气压法在Pt电极上制备C轴倾斜的A1N压电薄膜.用X射线衍射仪(XRD)分析两步气压下制备的A1N薄膜的择优取向,用扫描电镜(SEM)观察薄膜的截面形貌.实验结果表明在优化工艺参数条件下制备的AlN薄膜为C轴倾斜的柱状晶,且柱状晶与C轴的倾斜角度达到5°.并且初步探讨两步气压法制备C轴倾斜AlN薄膜的生长机理. 展开更多
关键词 C轴倾斜 ALN薄膜 两步气压法
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