两步热处理制备高延性TiAl基合金机理

研究了两步热处理对锻造Ti 4 7Al 2Cr(摩尔分数 ,% )组织演变和室温拉伸性能的影响。经 12 90℃ ,4h FC12 4 0℃ ,4h ,FC +90 0℃ ,2 4h热处理后 ,锻造TiAl基合金中形成了均匀细小的双态组织 ,其室温伸长率 ,室温抗拉强度和室温屈服强度分别为 3.5 % ,6 77MPa和 5 97MPa。在热处理过程中 ,锻造TiAl基合金发生了复杂的相变 ,其相变过程为 :变形组织→γf+αf→γf+(αf+γs+αs)→γf+Lf+γs+Ls。当第二步热处理温度偏低时 ,αs 转变为脆性α2 相颗粒 。

三氧化钨纳米薄膜制备与气敏性能的研究

讨论一种对二氧化氮具有高灵敏性的WO3纳米薄膜的制备方法.当基片温度为室温,溅射混合气体(O2/Ar)的比例为1:1时,用直流反应磁控溅射法制备的薄膜,经过两步热处理(300℃/600℃),得到纳米结构WO3气敏元件.通过XRD、XPS和SEM对该薄膜的晶体结构和化学成分进行分析,用静态配气法测试NO2气敏特性.在Si3N4基片上制备的这种薄膜对空气中较低浓度的NO2(体积分数为0.1×10-5～3×10-5)具有优异的敏感特性和响应特性,最佳工作温度为150℃,在此温度下对其他一些气体(如CO,C2H5OH,NH3)的敏感性很差,显示出良好的选择性.

顺序离子束溅射沉积制备GdAlO_3单一晶相薄膜技术

顺序沉积薄膜制备技术包括前驱薄膜制备和后期薄膜热处理技术 ,特别适合复杂组分的薄膜制备 .采用IM10 0离子束材料芯片沉积仪在MgO(10 0 )基片上顺序沉积Gd2 O3 和Al单层薄膜 ,经后续低温扩散和高温晶化两步热处理得到GdAlO3 单一晶相薄膜 .以X射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM )等手段 ,分析所得GdAlO3 薄膜的晶体结构和微观形貌 ,考察热处理过程对GdAlO3 薄膜生长过程及微观结构的影响 .实验结果表明顺序沉积薄膜制备技术具有化学计量比控制精确的优点 ,两步热处理可以得到结晶状况良好的单相结晶薄膜 .

熔融二次热处理优化制备近红外钠硼铝硅酸盐PbSe量子点荧光玻璃

采用高温熔融法,经过两步退火热处理,在钠硼铝硅酸盐玻璃基底中成功合成了晶粒尺寸为3.63~4.33 nm、掺杂体积分数为2%的Pb Se量子点。用高温差热分析仪确定了最佳的热处理温度,用X射线衍射仪和透射电镜分析了玻璃中Pb Se量子点的结晶、尺寸和粒子分布情况。用分光光度仪和荧光光谱仪,观测了量子点玻璃的吸收谱和荧光发射谱。结果表明,第一次热处理时间在3~5 h之间,温度为500°C,玻璃才有荧光辐射,其辐射峰的半峰全宽为200 nm,峰值波长位于1220~1279 nm。第二次热处理的最佳时间为10 h,温度为540°C。给出了量子点尺寸关于第一次热处理时间的经验公式。提供的制备Pb Se量子点玻璃的方法和工艺数据,将为量子点玻璃拉制成光纤,制成高增益或宽带宽的新型光纤提供依据。

MS-G技术调控Nd-Fe-B铸态组织研究

采用熔体快淬+晶体生长(MS-G)技术调控Nd-Fe-B铸态组织,研究了铜辊转速及高温热处理对Nd-Fe-B快淬条带组织结构的影响。铜辊转速25 m·s^(-1)时快淬条带微观晶粒组织均匀,平均晶粒尺寸0.1μm,XRD图谱显示其为Nd_(2)Fe_(14)B相。Nd-Fe-B快淬条带经880℃热处理2.0 h晶粒均匀长大,平均尺寸0.86μm;冷却到750℃继续热处理2.0 h晶粒进一步均匀长大,平均尺寸达到1.04μm。温度升高会降低Nd_(2)Fe_(14)B晶粒异常长大临界驱动力Δg_(c),缩短异常长大的孕育期,使异常晶粒提早出现,高温+低温两步热处理通过降温处理来延长晶粒异常长大孕育期,从而促进Nd_(2)Fe_(14)B晶粒在较低温度下继续均匀长大。