改进两温区气相输运法合成磷锗锌多晶材料

按富P 0.5%配料工艺,采用改进的两温区气相输运法合成ZnGeP_2多晶原料,既简化了传统两温区法的装料工艺,又有效避免了合成安瓿爆炸,提高了合成产量。经XRD,SEM,EDS分析结果表明:新方法合成的ZnGeP_2多晶原料纯度高,具有黄铜矿结构,空间群为42m,晶格常数a=b=0.5456 nm,c=1.0691 nm,多晶料的组成元素原子比Zn∶Ge∶P=1∶0.95∶2.06,接近ZnGeP_2的理想化学配比Zn∶Ge∶P=1∶1∶2。以此为原料,用坩埚下降法生长出等径尺寸约为Φ25 mm×50 mm的ZnGeP_2单晶体。

室温核辐射探测材料碘化铟多晶合成及结构分析

以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了In I多晶料,研究了高纯In I多晶合成工艺。用X射线粉末衍射(XRD)方法对合成的In I多晶进行结构测定,用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪(SEMEDS)对其成分进行分析,用等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)对其组成的元素进行痕量测定。研究结果表明:合成的In I多晶料晶格结构完整,纯度高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c=0.491 nm,且碘和铟比例接近1∶1。