隧道穿透对Sol-gel多晶二氧化钒薄膜电阻率的影响模拟

在多晶薄膜晶粒 晶界两相结构模型的基础上 ,考虑载流子对晶粒间界势垒区的隧穿机制 ,在 10℃～ 10 0℃的温度范围内 ,模拟了Sol gel多晶二氧化钒薄膜电阻率随温度的变化 ,模拟结果与实验结果有较好的吻合 .模拟结果显示 ,二氧化钒多晶薄膜的晶界效应限制了薄膜相变时电阻率的变化 。