RF-MEMS滤波器的高性能接口电路设计

提出了一种适用于射频—微机电系统(RF-MEMS)滤波器的高性能接口放大电路。利用微纳工艺制备了相对带宽为1.4%、中心频率为73.02 MHz的硅基MEMS滤波器,针对其高阻抗、高插入损耗特性,设计了基于运算放大器的低噪声、高增益的两级放大电路和阻抗匹配电路。仿真结果表明:接口电路对高频的MEMS滤波器微弱电流信号具有良好的放大效果,增益可达62.75d B,噪声系数为3.35d B,S22反射系数为-46.91 d B,使RF-MEMS滤波器的插入损耗降低至0.56 d B。测试与PCB板级电路级联的MEMS滤波器输出信号表明:RF-MEMS滤波器的插入损耗降至16.2d B,相对带宽为1.4%,中心频率为73.02 MHz,提升了MEMS滤波器在无线通信中的应用潜力。

高速ADC中具有失调对消的采样保持电路设计

基于采样速率最快的全并行(Flash)ADC(Analog to Digital Converter)结构,采用UMC 0.18 um CMOS工艺,设计了一种具有失调对消的采样保持电路(Track-and-Hold Circuit)。该THC嵌入比较器的两级预放大电路之中,不仅可以简化ADC结构,还进一步提高了比较器速度。通过电路工作相位ф_1,ф_2交替变换,不同相位的失调分量等值反向,输出累加实现对比较器失调对消。最后,在2 GHz时钟频率下进行仿真,仿真结果表明,输入信号为800MHz时,具有失调对消THC的Flash ADC较传统结构的SFDR(Spurious Free Dynamic Range),SINAD(Signal to Noise And Distortion)分别提高了8.26 dB、3.14 dB,ENOB(Effective Number Of Bits)提高了0.52 bits。

基于NI Multisim和NI ELVIS的模拟电子技术实验系统开发

为了充分发挥仿真实验和实物操作实验教学手段的优势,尝试将NI Multisim仿真软件和NI ELVIS II+实验平台引入模拟电子技术实验的教学中,并以晶体管两级放大电路实验为例设计了基于仿真和实物操作一体化的模拟电子技术实验系统。实践表明,将仿真实验和实物操作实验实时结合起来,学生可以快速地将仿真实验的结果与实物操作实验的结果进行分析比对,大大缩减了从仿真电路设计到实物电路实现的过程,从而有效地提高了学生的实验效率和学习成就感。