4H-SiC探测器的快中子产额测量可行性研究

为了验证4H-SiC探测器用于快中子产额测量的可行性,利用强流氘氚聚变中子发生器(High Intensity Deuterium-Tritium Fusion Neutron Generator,HINEG)测试了4H-SiC探测器的主要性能。实验获得了探测器的脉冲幅度谱,高能段反应特征峰清晰可辨,^(12)C(n,α_(0))^(9)Be特征峰的半峰全宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)为190 keV,能量分辨率为2.26%,对快中子的注量响应ε_(E)=8.89×10^(-6) n^(-1)·cm^(-2)(±7.7%)。实验结果表明4H-SiC探测器可用于快中子产额测量。

中子管非中子产物性质

采用两只经过标定的ST401闪烁探测器,测量了脉冲中子管的中子产额,在其中一只探测器前端增加铅板屏蔽,1cm的铅屏蔽使探测器输出减少了18.20%,在加速器中子源上进行的类似实验表明,0.5cm的铅使探测器的输出减少了2.90%。对两个中子源上测量的情况进行了蒙特卡罗模拟,加速器实验与模拟符合较好,脉冲中子管实验差别较大。对实验和模拟的情况进行了分析,结果表明:中子管除产生中子外,还会产生数量较多的轫致辐射X射线,这些X射线对准确测量中子管中子产额将造成不良影响。