一个高灵敏度中子扫描变像管的设计

设计了一个高探测灵敏度的中子扫描变像管，该管采用电子产额较高的聚乙烯加磺化中子阴极。承极面积大（Х１０ｍｍ），不设置狭缝，电子束的交叉截面聚焦于ＭＣＰ的前表面。设计时间分辨率为４３ｐｓ，探测产额大于１×１０＾８个烧蚀靶内焊中子，当靶到阴极距离方几十厘米时，也可用于测量爆推靶内爆中子能谱多普勒展宽，从而确定等离子体离子温度。

一种用于中子探测高灵敏度扫描变像管

设计一种用于中子探测的高灵敏度扫描变像管.其特点是:不设置狭缝,将大面积光电阴极(30mm)所发射的电子束聚焦成小束斑(1mm)直接进行扫描,再经内置MCP(microchannelplate)电子倍增,使扫描变像管的探测灵敏度得到大幅度提高,可探测中子产额为5×107条件下的激光惯性约束聚变(ICF)中子飞行时间谱,扫描变像管时间分辨率可达约55ps.