退火处理对CsBr:Eu^(2+)光激励发光性能的影响

采用高温固相烧结法制备了CsBr:Eu2+粉体,系统研究了退火处理后粉体的光激励发光谱、吸收差谱和光激励发光衰减时间等,发现退火处理能有效提高CsBr:Eu2+粉体光激励发光强度,缩短其发光衰减时间.重点分析了退火气氛与光激励发光性能之间的关系,实验结果表明,退火气氛中的氧取代溴离子Br-成为替位氧离子Os-,而氢原子将进入间隙位成为间隙氢原子Hio.替位氧离子Os-以及Hio和Ho2i都是有效的电子俘获中心,并且它们与空穴俘获中心的形成密切相关.

富硅二氧化硅薄膜的蓝色荧光特性研究

用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。红外 (IR)透射光谱表明退火过程中发生2SiOx→xSiO2 +(2 -x)Si化学反应。SiO2 与纳米晶硅 (nc -Si)界面上与氧有关的缺陷 (NBOHC)是蓝光发射 (2 .8eV)的主要原因。用纯二氧化硅靶制备的样品有 1.8eV的发光 ,可能与硅缺陷有关。

Corrole和Corrolazine的结构及其内氢迁移反应的理论研究

采用B3LYP/6-31G**方法在Gaussian03程序下,对Corrole(CH3)和Corrolazine(CzH3)体系进行结构优化和振动分析.结果显示,CH3和CzH3的不同构型稳定性差异可忽略不计,结构参数的变化则说明中心空穴的大小顺序为PH2>CH3>PzH2>CzH3.优化不同构型间相互转化的IHAT反应的过渡态,并进行相关的比较计算,发现CH3和CzH3的正反应速率都明显大于PH2和PzH2;同时CH3和CzH3的非平面构型的电子效应远大于PH2和PzH2的平面离域体系的平均化电子效应。