采用中性原子束的纳米制作

我们综述中性原子刻蚀。ｎｍ大小的器件、大面积平行沉积和有效抗蚀剂的结合证实了原子作为刻蚀的元件大有希望。我们证明，用几种抗蚀剂，其中包括Ａｕ上的链烷硫醇盐的自组合单层和ＳｉＯ２上的烷基硅氧烷的自组织单层，以及从蒸汽沉积的“污染”抗蚀剂，把７０ｎｍ宽的器件从一个中性原子束转换到基体中。与光子和电子不同，具有亚稳态中的惰性气体原子具有易操作的内部状态结构。

在低温下生长的氮化镓薄膜

美国Los Alamos国家实验室开发了一种能在较低温度下生长晶态氮化镓薄膜的新技术。由于取消了传统技术所要求的较高温度和反应性环境对于所用基片材料的限制，本发明则大大扩大了所制得的氮化镓薄膜在光电子器件（例如激光二极管，高密度光学存贮器，平板显示器和固体照明等）方面的应用。该新技术是借助于低能量氮原子与同时流通的镓金属于100～150℃之间的温度下基于高能中性原子束在蓝宝石上外延生长晶态或多晶态氮化镓薄膜。所谓的高能中性原子束lithography，即Los Alamos装置，用来产生低动能的中性原子束。