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一种中电压大功率IGBT模块行为模型
被引量:
16
1
作者
陈玉林
孙驰
+1 位作者
艾胜
胡亮灯
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2017年第4期25-34,共10页
目前已有场终止型绝缘栅双极性晶体管(IGBT)行为模型以及仿真软件中的IGBT模型未专门针对中电压大功率IGBT模块搭建,不能准确模拟其区别于中小功率IGBT的行为特性。在已有行为模型基础上,提出引入IGBT基区存储电荷造成的等效电容及模块...
目前已有场终止型绝缘栅双极性晶体管(IGBT)行为模型以及仿真软件中的IGBT模型未专门针对中电压大功率IGBT模块搭建,不能准确模拟其区别于中小功率IGBT的行为特性。在已有行为模型基础上,提出引入IGBT基区存储电荷造成的等效电容及模块封装键合丝带来的寄生电感,考虑反并联PIN二极管行为模型,从而有针对性地实现了完整中电压大功率IGBT模块行为模型。同时提出了新的米勒电容函数拟合方法,量化分析行为模型完整开关过程中典型行为与模型参数的关系,通过较简便的方法实现了模型参数的提取。最后在Pspice环境下实现了一种3.3k V/1.5k A等级IGBT行为模型,并通过在Buck电路下仿真与实验波形对比证明了该行为模型的可行性和有效性。
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关键词
中电压大功率
绝缘栅双极性晶体管
行为模型
动态特性
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职称材料
题名
一种中电压大功率IGBT模块行为模型
被引量:
16
1
作者
陈玉林
孙驰
艾胜
胡亮灯
机构
海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2017年第4期25-34,共10页
基金
国家自然科学基金面上项目(51177170
51277178)
国家自然科学基金青年基金(51407189)资助
文摘
目前已有场终止型绝缘栅双极性晶体管(IGBT)行为模型以及仿真软件中的IGBT模型未专门针对中电压大功率IGBT模块搭建,不能准确模拟其区别于中小功率IGBT的行为特性。在已有行为模型基础上,提出引入IGBT基区存储电荷造成的等效电容及模块封装键合丝带来的寄生电感,考虑反并联PIN二极管行为模型,从而有针对性地实现了完整中电压大功率IGBT模块行为模型。同时提出了新的米勒电容函数拟合方法,量化分析行为模型完整开关过程中典型行为与模型参数的关系,通过较简便的方法实现了模型参数的提取。最后在Pspice环境下实现了一种3.3k V/1.5k A等级IGBT行为模型,并通过在Buck电路下仿真与实验波形对比证明了该行为模型的可行性和有效性。
关键词
中电压大功率
绝缘栅双极性晶体管
行为模型
动态特性
Keywords
Medium-voltage high power
insulated gate bipolar transistor
behavior model
dynamic characteristics
分类号
TM564 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种中电压大功率IGBT模块行为模型
陈玉林
孙驰
艾胜
胡亮灯
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2017
16
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