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基于PVI的IGBT串联驱动及均压措施研究 被引量:3
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作者 王永青 周金香 +1 位作者 周颖昌 李敏 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2007年第9期72-73,76,共3页
提出了一种高压IGBT串联用隔离驱动及其均压方法。简要介绍了光压隔离器(Photo Voltaic Insulator,简称PVI)的工作原理及参数,给出了采用PVI的串联IGBT隔离驱动电路及工作原理,详细阐述了采用PMOSFET的高压IGBT串联均压方法。最后,给出... 提出了一种高压IGBT串联用隔离驱动及其均压方法。简要介绍了光压隔离器(Photo Voltaic Insulator,简称PVI)的工作原理及参数,给出了采用PVI的串联IGBT隔离驱动电路及工作原理,详细阐述了采用PMOSFET的高压IGBT串联均压方法。最后,给出了上述PVI隔离驱动电路和PMOSFET均压方法在以双IGBT串联为调整管的高压恒流源中的均压效果,经实际测试其均压误差小于2%。 展开更多
关键词 串联/隔离驱动 均压 光压隔离
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