含PbS量子点串联双隧道结I—V特性仿真

对形成单电子器件的典型串联双隧道结结构模型 ,通过求解含时薛定谔方程 ,计算了PbS量子点自组装体系的隧穿电流与偏压的关系。给出了含PbS量子点串联双隧道结在室温下的I—V特性仿真数据 ,结果与实验符合得较好。