串行FLASH存储器AT45DB021B在电力参数监测中的应用

AT45DB021B是2.7V电压供电,存储容量264Kbyte的SPI串行接口的FLASH型大容量存储器,本文介绍了该器件的主要特性和工作原理,并给出了其与MSP430超低功耗单片机的接口电路和相应的C语言读写程序。

串行FLASH存储器SSF1101及其在单片机系统中的应用

SSF1101是存储容量为4Mbit的SPI串行接口FLASH存储器,其IC卡封装形式可作为单片机系统的大容量数据存储卡。文中介绍了该器件的主要特性和工作原理 ,并以IC卡封装形式为例 ,给出了其与单片机的接口电路及相应的读写程序。

嵌入式系统中使用串行Flash存储器作汉字字库的方法

在需要标准汉字库的场合一般使用并行口的存储器,但这些存储器芯片和CPU之间的接线复杂,本文介绍一种使用串行接口Flash存储器作为汉字库的方法。

串行FLASH存储器在小型LED显示系统中的应用

在研究和分析现有各种LED显示屏控制电路的基础上,提出了一种基于串行FLASH存储器的LED显示控制系统。该系统由STC12C5410高速IT单片机和有SPI接口的SST25VF016B串行大容量FLASH存储器组成。同时给出了基于该控制系统的数据组织方法及相应的硬件电路,并以256×64点阵双色LED显示屏为例说明其如何在实际应用,也对LED显示屏的数据组织和硬件电路设计进行了一些初步探讨。

串行Flash存储器及其在智能检测仪表中的应用

以大容量串行Flash存储器AT45D0 41为例 ,介绍了该芯片的工作原理与单片机的接口方法等内容 ,并结合数字式心电记录盒介绍了该器件在智能检测仪表中的具体应用。

C8051F020与SPI串行Flash存储器的接口

介绍了C80 5 1F0 2 0单片机SPI模块的内部结构和相关配置寄存器的定义和使用 ,以及SPI串行Flash存储器AT4 5DB0 81B的外部引脚、存储空间的划分和相应的软件操作指令 ;着重阐述C80 5 1F0 2 0与AT4 5DB0 81B之间的接口技术 ,包括硬件连线方法、硬件连线及配置中需要注意的问题。

大容量串行flash存储器AT45DB041的原理与应用

AT45DB041B是ATMEL公司推出的一款大容量高速串行flash存储器。它采用2．5-3．0V或2．7-3．6V单电源供电,兼容SPI串行外设接口,可以是活的与各种微处理器接口使用,时钟频率可高达20MHz。其应用几乎不需任何外围器件,电路开发简单,更由于其封装尺寸小、集成度高、电源电压低等优点,在商业和工业中得到了广泛的应用。AT45DB041B典型应用在数字语音存储、图像存储、数据存储以及程序代码存储等场合。

串行FLASH存储器在伺服控制系统中的应用

针对伺服跟踪控制系统对大容量、小型化存储器的设计需求,提出了一种应用于伺服跟踪控制系统中的串行FLASH存储器SST25VF010与TMS320F2812的接口电路设计。通过实验室中的实际应用检验,该方法满足伺服跟踪控制系统对结构小型化和性能实时性设计的要求,并有效地实现了伺服跟踪控制系统对多种应用的通用性。

串行FLASH存储器在智能化仪表中的应用

介绍一种具有串行接口的大容量FLASH存储器AT45D041的功能及其应用,给出有关的驱动程序。

串行FLASH存储器在智能化仪表中的应用

串行接口的FLASH存储器具有接口简单、工作可靠、成本低而获得广泛的应用,文章介绍了一种具有串行接口的大容量FLASH存储器AT45D041,介绍了其功能和读／写操作方法,给出了其底层的硬件驱动程序和一个具体的应用实例．

基于FPGA的FLASH存储器三温功能测试系统设计

由于大容量FLASH存储器全地址功能测试时间较长,在自动化测试设备(ATE)上进行高低温测试时,长时间使用热流罩会导致测试设备运行异常。为把存储器测试过程中耗时最长的全地址功能测试部分从ATE机台上分离出来,设计一个基于FPGA的驱动板卡,结合MSCAN和Checkerboard算法实现了对被测芯片激励信号的施加;然后,设计一个12工位的驱动板卡,实现了在三温条件下的多芯片同步测试;接着,设计一个基于Qt的上位机软件,实现了对测试结果的实时显示与存储;最后,对2 GB大容量FLASH存储器进行测试验证。测试结果表明,与传统的ATE测试相比,基于驱动板和工位板的测试系统可实现对大容量FLASH的全地址功能的高低温测试,且工位板具有的高可扩展性可实现多芯片的同步测试,大幅提高了测试效率。

内嵌Flash存储器可靠性评估方法的分析及应用

介绍了存储器分类及Flash存储器的基本结构,分析了非易失性存储器(NVM)可靠性试验标准的特点。从试验项目、试验条件、样品数量和数据图形等方面比较了JEDEC和AEC发布的NVM可靠性试验的标准和方法。以2款存储容量分别为64 kB和128 kB的MCU芯片为试验对象,依据JEDEC和AEC发布的试验标准和方法,设计了针对MCU芯片内嵌Flash存储器可靠性的评估试验,为Flash存储器的设计和验证工作提供参考。

面向FLASH存储器应用的电压自举电荷泵电路设计

基于SMIC 0.18μm 1P6M工艺,设计出一款面向FLASH存储器应用需求的开环电荷泵升压电路。该电路主要由振荡电路、分频电路、非交叠时序电路、电荷泵和高压选择电路组成。为实现电荷泵电压的自举,本设计采用高电压选择电路和开环无反馈结构电荷泵,通过调整电容比值,满足不同的输出升压需求。仿真结果表明,在电源电压为1.8 V、内部开关时钟频率为50 kHz、带载为5 mA的条件下,电荷泵的输出电压为3.3 V,纹波仅为10 mV,升压效率高达96%。与其他电荷泵相比,本设计提高了输出效率,可满足不同输出升压的需求。

串行DataFlash存储器及其与单片机的接口

DataFlash是Atmel公司新推出的大容量串行Flash存储器产品,具有体积小、容量大、功耗低和硬件接口简单的特点,非常易于构成微型测量系统。本文重点介绍此类存储器与单片机的接口,并给出实际的电路设计和软件代码示例。

基于Flash混合存储的数据迁移技术研究

混合存储系统内的数据结构较为混乱,为提高数据迁移效率,减少其响应时间,设计基于Flash混合存储的数据迁移技术。综合比较Flash存储器、固态硬盘存储器以及磁盘存储器的存储效果,对存储介质进行缓存分层,整理其在同层结构与分层结构中的读写顺序;计算文件的时间长度值,获取文件读写频率以及单位时间内的文件访问量,计算文件预期价值,并得到相应的约束条件,由此建立数据价值评定模型,设计数据迁移算法。实验结果表明,在邮件负载条件下效果更好,在不同时段内,响应时间均不超过3 s,因此该数据迁移技术的响应时间较短,性能较好。

适用于FPGA与Nand flash阵列星载固态存储器的坏块管理方法

随着遥感、雷达、通信技术的快速发展,卫星有效载荷速率爆发式增长,星载固态存储器需要存储的数据量越来越大,存储速率越来越高,存储读写次数越来越多。作为当前星载固存的主流产品,基于FPGA和Nand flash的星载固态存储器所需的Nand flash数量越来越多,单片容量越来越大。受限于Nand flash的工艺特性,基于FPGA和Nand flash的固态存储器在其生命周期内会产生更多的坏块,从而影响记录载荷数据的正确性。针对星载固态存储器使用过程中产生再生坏块问题,提出了一种基于实时坏块检测、标注和坏块数据自主搬移、坏块自主回收的固态存储器坏块管理方案,有效地消除了再生坏块对载荷数据正确性的影响,降低了再生超级坏块数据的错误扩散和重复错误概率。方案已经过测试验证并已具有多个型号飞行经历,是一种简单、高效、可靠的星载固态存储器坏块管理方法。

串行接口FLASH存储器在8051单片机中的应用

介绍了flash存储器AT25FS040与8051单片机的接口方法,详细叙述了AT25FS040读取,写入和擦除操作的具体方法和时序,设计了AT25FS040与8051单片机接口的硬件,并给出参考例子程序。

应用于Flash存储器的一种高效低纹波电荷泵设计

针对交叉耦合型电荷泵电荷回流的问题,本文提出了一种新型六相位电荷泵结构,电荷泵的主体由3个NMOS管和3个泵电容组成。考虑到时钟驱动能力对电荷泵性能的影响,设计通过增加额外的时钟驱动模块实现四相位到六相位的时钟转换,从而减小电荷泵的上升时间并改善输出电压。此外,电路采用并联双支路结构减小输出电容的充放电时间间隔,以减小输出纹波。基于0.13μm工艺的仿真结果表明,在时钟频率为20MHz,负载电容为50pF,负载电流为300μA的条件下,该电路可以实现3.3V到15V的电压转换,效率可达到67.7%,输出纹波仅为38.5mV。

可变容量的高可靠Flash型FPGA配置存储器设计

采用0.18μm 2P6M Flash工艺设计了一款FPGA配置存储器,为SRAM型FPGA提供了串行和并行的码流加载方式,最高工作频率为50 MHz,具有存储容量可变、可靠性高的优点。通过设计地址侦测电路实现了该FPGA配置芯片的存储容量可变,从而提高了该配置芯片的适用范围;通过设计双模的复位电路,使芯片更适应复杂的电源环境,提高了上电复位的可靠性;通过设计存储器内建自测试(MBIST)电路,实现了对Flash全地址存储空间的自测试和对电路的高效筛选,减少了芯片的测试时间,同时提高了配置芯片存储空间的可靠性。