四寸砷化镓晶圆临时键合解键合工艺技术

红光半导体激光器在激光照明及激光显示技术中有相当重要的应用,其是以砷化镓作为衬底的。半导体激光器晶圆在完成正面工艺后需要将其背面减薄至100um左右然后蒸镀金属电极。由于砷化镓单晶是一种软而脆的材料,减薄后极易碎裂。针对此问题设计了一种低成本且简单易行的临时键合以及解键合工艺,该方案可以极大提升晶圆减薄制程的良率,应用于实际生产中可解决破片问题。

100 mm InP晶圆临时键合解键合工艺技术

InP基阵列近红外焦平面探测器的研发是近年来的热点,其器件性能的提升主要依赖于化合物半导体InP芯片的工艺优化。针对超薄InP晶圆在减薄抛光工艺过程中容易出现的形变、碎裂、损伤等问题,设计了一种临时键合及解键合工艺技术。结果表明,该技术成功实现了表面具有微观结构的超薄100 mm(4英寸)InP晶圆的临时键合及解键合,有效解决了减薄生产中碎片的问题,对芯片工艺优化具有重要的指导意义。