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施主掺杂BaTiO_3陶瓷临界浓度的理论计算(英文) 被引量:1
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作者 蒲永平 杨文虎 +2 位作者 樊小蒲 王瑾菲 陈寿田 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期812-816,共5页
空气中烧结各种施主掺杂的BaTiO3陶瓷时,存在一种电阻率反常现象。从热力学以及晶体结构化学的角度出发,对临界施主掺杂浓度进行了理论计算和推导。结果表明:释放氧所需的能量与施主离子的种类无关,因而临界施主掺杂浓度为一定值;临界... 空气中烧结各种施主掺杂的BaTiO3陶瓷时,存在一种电阻率反常现象。从热力学以及晶体结构化学的角度出发,对临界施主掺杂浓度进行了理论计算和推导。结果表明:释放氧所需的能量与施主离子的种类无关,因而临界施主掺杂浓度为一定值;临界掺杂浓度时的晶粒尺寸越小,在晶粒重结晶过程中临界施主掺杂浓度就越大。 展开更多
关键词 施主掺杂 钛酸钡 陶瓷 临界掺杂浓度
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GaN转移电子器件的性能与基本设计
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作者 邵贤杰 陆海 +2 位作者 张荣 郑有炓 李忠辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2389-2392,共4页
基于GaN转移电子器件最基本的工作模式——畴渡越时间模式,计算了GaN转移电子器件的理想最高振荡频率,得到该类型微波转移电子器件的最高振荡频率可达4.7THz,接近GaAs转移电子器件最高振荡频率(0.6THz)的8倍.从理论上计算出GaN转移电子... 基于GaN转移电子器件最基本的工作模式——畴渡越时间模式,计算了GaN转移电子器件的理想最高振荡频率,得到该类型微波转移电子器件的最高振荡频率可达4.7THz,接近GaAs转移电子器件最高振荡频率(0.6THz)的8倍.从理论上计算出GaN转移电子器件的理想最大输出功率,结果表明GaN转移电子器件在功率输出方面具有很大优势.最后还讨论了GaN转移电子器件在畴渡越时间模式下,能够产生稳定Gunn振荡的两个基本条件,即电子浓度N与器件有源区长度L乘积要大于该器件的设计标准((NL)0=6.3×1012cm-2)及有源区的掺杂浓度N要小于临界掺杂浓度Ncrit(3.2×1017cm-3).本工作揭示出GaN转移电子器件在高频率和大功率输出方面都具有重要优势,作为大功率THz微波信号源将具有广阔的应用前景. 展开更多
关键词 GAN 转移电子器件 微分负阻效应 最高频率 临界掺杂浓度
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Oxygen vacancies effects on phase diagram of epitaxial La1-xSrxMnO3 thin films
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作者 Qian Wan KuiJuan Jin +9 位作者 QingQing Li YaQing Feng Can Wang Chen Ge Meng He HuiBin Lu HaiZhong Guo XiaoLong Li YuPing Yang GuoZhen Yang 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第5期67-72,共6页
We investigated the effects of oxygen vacancies on the structural, magnetic, and transport properties of Lal-xSrxMnO3 (x=0.1, 0.2, 0.33, 0.4, and 0.5) grown around a critical point (without/with oxygen vacancies) ... We investigated the effects of oxygen vacancies on the structural, magnetic, and transport properties of Lal-xSrxMnO3 (x=0.1, 0.2, 0.33, 0.4, and 0.5) grown around a critical point (without/with oxygen vacancies) under low oxygen pressure (10 Pa) and high oxygen pressure (40 Pa). We found that all films exhibit ferromagnetic behavior below the magnetic critical temperature, and that the films grown under low oxygen pressures have degraded magnetic properties with lower Curie temperatures and smaller magnetic moments. These results show that in epitaxial La1-xSrxMnO3 thin films, the magnetic and transport properties are very sensitive to doping concentration and oxygen vacancies. Phase diagrams of the films based on the doping concentration and oxygen vacancies were plotted and discussed. 展开更多
关键词 Lal-xSrxMnO3 thin films phase diagram oxygen vacancies
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