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题名特高压直流输电用晶闸管dv/dt特性试验研究
被引量:5
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作者
黄蓉
李世平
任亚东
陈彦
熊思宇
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机构
南车株洲电力机车研究所有限公司
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出处
《大功率变流技术》
2013年第4期4-8,27,共6页
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文摘
特高压直流输电(UHVDC)用晶闸管除需通过常规的特性测试外,还必须多次进行多项特殊项目测试,例如极限性的临界电压上升率(dv/dt)和不同dv/dt下的电压转折关系测试。文章论述了一种测试±660 kV特高压直流输电用晶闸管临界电压上升率特性的测试系统。该系统采用计算机自动控制,其数据采集、波形显示以及结果记录均由Labview编写的控制程序完成,安全可靠。
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关键词
晶闸管
特高压直流输电
临界电压上升率
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Keywords
thyristor
ultra high voltage DC transmission
dv/dt of threshold voltage
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分类号
TN34
[电子电信—物理电子学]
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题名KS200A/1200V双向晶闸管
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出处
《机电新产品导报》
1995年第6期89-89,共1页
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文摘
沈阳自动控制研究设计院研制的KS200A/1200V双向晶闸管于1992年12月通过了沈阳市机械工业管理局组织的鉴定。该产品在研制过程中采用了较先进的化学减薄、双面光刻、烧结工艺。同时为了提高触发灵敏度和换向能力独创了双向挖槽工艺和选择电子辐照工艺,这样使产品的参数稳定、一致性好、抗浪涌能力强,换向能力高,可达200V/μs,居国内先进水平。
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关键词
双向晶闸管
换向能力
研究设计
抗浪涌能力
断态电压临界上升率
烧结工艺
触发灵敏度
断态重复峰值电压
双面光刻
辐照工艺
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分类号
TH-39
[机械工程]
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题名世界最大容量8kV/3.6kA光控晶闸管
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作者
K.Sato
黄慧
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机构
日
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出处
《大功率变流技术》
1997年第3期54-55,共2页
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文摘
为了适应高压直流输电和反并系统中电力变流器的需要,三菱电子公司开发了152.4mm硅片8 kV/3.6 kA光控晶闸管(LTT)。这种新设计的器件比以前101.6 mmLTT功率控制容量增加了1倍,同时缓和器件容量增大而出现各种问题。
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关键词
光控晶闸管
最大容量
折衷关系
高压直流输电
功率控制系统
电力变流器
通态电流临界上升率
断态电压临界上升率
特性参数
局部寿命控制
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分类号
TN34
[电子电信—物理电子学]
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