期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
用临界钝化电流法和液晶法检测金属氧化物膜的缺陷率
1
作者 印仁和 曹为民 +2 位作者 李亚君 李卓棠 荣国斌 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期667-672,共6页
用临界钝化电流(CriticalPassivationCurrentDensity.CPCD)法和液晶法,研究了不锈钢上Ta2O5,ZrO2的高频溅射膜的缺陷率建立了CPCD法中与薄膜有关的电流密度If与膜厚d之间的关系式:If=k(1-θ)d.利用液晶的动态散射模型(Dynam... 用临界钝化电流(CriticalPassivationCurrentDensity.CPCD)法和液晶法,研究了不锈钢上Ta2O5,ZrO2的高频溅射膜的缺陷率建立了CPCD法中与薄膜有关的电流密度If与膜厚d之间的关系式:If=k(1-θ)d.利用液晶的动态散射模型(DynamicScatteringMode,DSM),建立了动态无损伤检测膜缺陷率的新方法,并证明了这两种方法的检测结果有良好的直线关系。 展开更多
关键词 临界钝化电流法 液晶 薄膜 缺陷率
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部