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用临界钝化电流法和液晶法检测金属氧化物膜的缺陷率
1
作者
印仁和
曹为民
+2 位作者
李亚君
李卓棠
荣国斌
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期667-672,共6页
用临界钝化电流(CriticalPassivationCurrentDensity.CPCD)法和液晶法,研究了不锈钢上Ta2O5,ZrO2的高频溅射膜的缺陷率建立了CPCD法中与薄膜有关的电流密度If与膜厚d之间的关系式:If=k(1-θ)d.利用液晶的动态散射模型(Dynam...
用临界钝化电流(CriticalPassivationCurrentDensity.CPCD)法和液晶法,研究了不锈钢上Ta2O5,ZrO2的高频溅射膜的缺陷率建立了CPCD法中与薄膜有关的电流密度If与膜厚d之间的关系式:If=k(1-θ)d.利用液晶的动态散射模型(DynamicScatteringMode,DSM),建立了动态无损伤检测膜缺陷率的新方法,并证明了这两种方法的检测结果有良好的直线关系。
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关键词
临界钝化电流法
液晶
法
氧
化
物
薄膜
缺陷率
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职称材料
题名
用临界钝化电流法和液晶法检测金属氧化物膜的缺陷率
1
作者
印仁和
曹为民
李亚君
李卓棠
荣国斌
机构
上海大学
华东理工大学
出处
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期667-672,共6页
基金
国家自然科学基金!59471060
文摘
用临界钝化电流(CriticalPassivationCurrentDensity.CPCD)法和液晶法,研究了不锈钢上Ta2O5,ZrO2的高频溅射膜的缺陷率建立了CPCD法中与薄膜有关的电流密度If与膜厚d之间的关系式:If=k(1-θ)d.利用液晶的动态散射模型(DynamicScatteringMode,DSM),建立了动态无损伤检测膜缺陷率的新方法,并证明了这两种方法的检测结果有良好的直线关系。
关键词
临界钝化电流法
液晶
法
氧
化
物
薄膜
缺陷率
Keywords
CPCD method, DSM, liquid crystal, oxide film, defect
分类号
O484.5 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用临界钝化电流法和液晶法检测金属氧化物膜的缺陷率
印仁和
曹为民
李亚君
李卓棠
荣国斌
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
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