W-CDMA手机用功放的临道泄漏的低频因素分析

分析了W-CDMA移动终端用功率放大器在AB类工作状态下由低频因素引起的非线性失真的机理,利用频域分析的方法建立了放大器的数学模型。通过模型计算了低频因素和三次交调对临近信道功率泄漏的影响,实验结果表明大功率输出时低频因素引起的临近信道功率比的恶化可达3.4dB。