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新型IGBT半桥串联他激感应炉主回路分析
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作者 夏霄红 吕亚宁 张惠 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2012年第S1期8-13,共6页
通过对新型IGBT半桥串联他激感应炉主回路分析,推导出该系统的输出功率与电容、他激频率和直流电压的关系函数,并做出一组函数曲线图,确定了对输出功率的主要影响因素,并计算出电容上的最高电压值,从而为选取的电容耐压值提供了理论依据。
关键词 半桥串联 绝缘栅双极晶体管 主回路分析 输出功率 电容
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