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新型IGBT半桥串联他激感应炉主回路分析
1
作者
夏霄红
吕亚宁
张惠
《电子测量与仪器学报》
CSCD
2012年第S1期8-13,共6页
通过对新型IGBT半桥串联他激感应炉主回路分析,推导出该系统的输出功率与电容、他激频率和直流电压的关系函数,并做出一组函数曲线图,确定了对输出功率的主要影响因素,并计算出电容上的最高电压值,从而为选取的电容耐压值提供了理论依据。
关键词
半桥串联
绝缘栅双极晶体管
主回路分析
输出功率
电容
下载PDF
职称材料
题名
新型IGBT半桥串联他激感应炉主回路分析
1
作者
夏霄红
吕亚宁
张惠
机构
山东省计量科学研究院
山东省农业机械科学研究所
出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
2012年第S1期8-13,共6页
文摘
通过对新型IGBT半桥串联他激感应炉主回路分析,推导出该系统的输出功率与电容、他激频率和直流电压的关系函数,并做出一组函数曲线图,确定了对输出功率的主要影响因素,并计算出电容上的最高电压值,从而为选取的电容耐压值提供了理论依据。
关键词
半桥串联
绝缘栅双极晶体管
主回路分析
输出功率
电容
Keywords
half-bridge series connection
IGBT
major loop analysis
output power
capacitor
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
新型IGBT半桥串联他激感应炉主回路分析
夏霄红
吕亚宁
张惠
《电子测量与仪器学报》
CSCD
2012
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