掺杂在GaAs材料中Be受主能级之间的跃迁

通过远红外吸收谱、光致发光光谱和拉曼散射光谱,对均匀掺杂在GaAs材料中Be受主能级之间的跃迁进行了研究.实验中使用的GaAs:Be样品是通过分子束外延设备,生长在半绝缘(100) GaAs衬底之上的外延单层.在4.2 K温度下,对样品分别进行了远红外吸收光谱、光致发光光谱、Raman光谱的实验测量.在远红外吸收光谱中,清楚地观察到了从Be受主1S3/2Γ8基态到它的三个激发态2P3/2Γ8, 2P5/2Γ8和2P5/2Γ7之间的奇宇称跃迁吸收峰.跃迁能量与先前文献中报道的符合得很好.从光致发光光谱中,观察到了Be受主从1S3/2Γ8基态到2S3/2Γ8激发态的两空穴跃迁的发光峰,从而间接地找到了两能级之间的跃迁能量.在Raman光谱中,清楚地分辨出来了Be受主从1S3/2Γ8基态到2S3/2Γ8激发态偶宇称跃迁的拉曼散射峰,直接得到了两能级间的跃迁能量.对比发现,分别直接和间接得到的1S3/2Γ8基态到2S3/2Γ8激发态跃迁能量结果是一致的.

壳模型对^(143)Pm核跃迁几率的计算

原子核跃迁几率理论计算和实验对比是分析描述原子核内部结构的主要手段之一。目前采用重离子核反应观测到143Pm核(Z=61,N=82)高自旋能级结构:激发态最大能级达Ex=8 397.6keV,对应自旋J=47/2(=1)。利用核壳模型在计算143Pm核能级结构及对应的自旋宇称基础上,系统地对其γ级联跃迁链以及纯E2跃迁进行了计算,并与实验数据进行对比。采用OXBASH程序的单粒子跃迁公式计算了143Pm的跃迁几率。