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VLSI设计中互连耦合噪声的估计
1
作者
董刚
杨银堂
+1 位作者
李跃进
柴常春
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期276-279,299,共5页
随着互连尺寸及其间距的减小,由电容引起的耦合效应已成为影响VLSI设计的关键因素之一.采用耦合互连的L模型,基于主极点近似的方法给出了耦合噪声的时域解析表达式,讨论了影响峰值噪声电压的因素.与已有的方法相比,模型得到了简化,而精...
随着互连尺寸及其间距的减小,由电容引起的耦合效应已成为影响VLSI设计的关键因素之一.采用耦合互连的L模型,基于主极点近似的方法给出了耦合噪声的时域解析表达式,讨论了影响峰值噪声电压的因素.与已有的方法相比,模型得到了简化,而精度并未损失,它可以广泛应用于考虑耦合效应的版图优化.
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关键词
互连耦合噪声
主极点近似
灵敏度
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职称材料
题名
VLSI设计中互连耦合噪声的估计
1
作者
董刚
杨银堂
李跃进
柴常春
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期276-279,299,共5页
基金
国家部委预研资助项目(41323020204)
文摘
随着互连尺寸及其间距的减小,由电容引起的耦合效应已成为影响VLSI设计的关键因素之一.采用耦合互连的L模型,基于主极点近似的方法给出了耦合噪声的时域解析表达式,讨论了影响峰值噪声电压的因素.与已有的方法相比,模型得到了简化,而精度并未损失,它可以广泛应用于考虑耦合效应的版图优化.
关键词
互连耦合噪声
主极点近似
灵敏度
Keywords
Approximation theory
Capacitance
Estimation
Integration
Poles and zeros
Sensitivity analysis
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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操作
1
VLSI设计中互连耦合噪声的估计
董刚
杨银堂
李跃进
柴常春
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
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