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砷压热处理对半绝缘GaAs性能的影响
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作者 王松柏 张声豪 《福建师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2003年第1期41-44,共4页
采用 5种经不同砷压但相同生长温度 ( 1 0 0 0℃ )和时间 ( 5 h)处理的半绝缘 ( SI) Ga As样品 ,利用表面光伏 ( SPV)方法 ,测量和计算了 SI-Ga As在室温 ( 30 0 K)下的主要施主浓度 EL2 、禁带宽度 EgΓ和双极扩散长度 La,并从理论上... 采用 5种经不同砷压但相同生长温度 ( 1 0 0 0℃ )和时间 ( 5 h)处理的半绝缘 ( SI) Ga As样品 ,利用表面光伏 ( SPV)方法 ,测量和计算了 SI-Ga As在室温 ( 30 0 K)下的主要施主浓度 EL2 、禁带宽度 EgΓ和双极扩散长度 La,并从理论上给出了相应的解释 . 展开更多
关键词 半绝缘GAAS 砷压热处理 主要施主浓度 禁带宽度 双极扩散长度 半导体材料 半绝缘性质
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