一种10~20GHz宽带二倍频放大芯片设计

基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,pHEMT)工艺,进行了覆盖10~20 GHz宽带二倍频放大芯片的设计,着重分析了在本振链路中基波和三次谐波产生的原因和抑制方法。基于差分电路,设计了一款不含滤波器且基波频率为10~20 GHz宽带二倍频放大芯片。该芯片通过探针台在片测试,证实在工作频带内,基波和三次谐波抑制均优于35 dBc,倍频损耗优于-0.5 dB。