平行平面形真空微电子二极管中的二分之三次方关系式

从泊松（Ｐｏｉｓｓｏｎ）方程出发，推导出了平行平面形真空微电子二极管中考虑空间电荷效应的二分之三次方关系式，并列举了此关系式的有关应用。

平面平行真空微电子二极管中二分之三次方关系式的应用

在一定的假定条件下,考虑空间电荷影响,平面平行真空微电子(P-VMD)二极管中电流-电压近似按二分之三次方关系式工作。本文在此关系式及Forler-Nordheim场发射方程的基础上[2],通过解简化立方方程,进一步推导出管内的电位、电场强度、电子速度和空间电荷密度的分布函数。P-VMD二极管在保持管内结构与阴极表面电场强度不变,并工作在典型工作状态(归一化电位系数p=2/3)情况下,考虑空间电荷影响时的阳极电压、阳极电场强度和阳极电子速度分别比无空间电荷影响时增加约50.00%,73.21%和22.47%。P-VMD二极管内的空间电荷密度分布函数为正割函数,在阳极表面附近为最小,在阴极表面处为无穷大,这是由于本文假设在阴极表面处的电子初速度为零的缘故。

冉绍尔-汤森效应及其电流电压关系

电子流在与气体闸流管中稀有气体作用时,出现经典理论无法解释的冉绍尔-汤森效应,即气体散射截面和电子速度有关.研究了此过程中几何因子、散射概率和总散射截面随电子速度的变化规律,验证了冉绍尔-汤森效应.探究了实验中出现的阴极电流和加速电压偏离二分之三关系的现象,利用排除法确定了可能的原因:经典Drude模型无法较好地描述电子和气体的碰撞.