一种单电子晶体管的Spice模型

基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较,该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型,分析了单电子反相器和改进了二叉判别图基本单元。

单电子晶体管的I-V特性数学模型及逻辑应用

基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学算法改进模型。该模型的优点是:考虑了背景电荷的影响,可由实际物理参数直接获得,支持双栅极工作,便于逻辑电路的分析。研究了背景电荷和各物理参数对I-V特性及跨导的影响,讨论了双栅极单电子晶体管的逻辑应用:简化了"异或"逻辑电路,改进了二叉判别图电路的逻辑单元。

单电子晶体管全加器电路设计

基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和二叉判别图数字电路的设计思想,改进了二叉判别图(BDD))单元,得到了一类基本逻辑门电路,进而提出了一种由11个BDD)单元即22个SET构成的全加器电路单元。SPICE宏模型仿真结果验证了设计的正确性。