RF LDMOS器件仿真与单元设计

RF LDMOS器件在GSM/CDMA移动通讯基站、数字广播电视发射、射频通讯领域应用广泛,RF LDMOS在这些领域中的地位类似于CPU在计算机和互联网领域的核心地位。尤其,RF LDMOS器件对于国防科技和军事通讯领域的意义显得更为突出。对于RF LDMOS器件进行仿真研究是当今半导体领域研制产品常用的方法。这样不但可以节约大量的人力物力财力,更为重要的是可以节约产品的开发时间,加快产品的推出和更新换代。文中采用Silvaco软件对RF LDMOS进行仿真,该器件采用0.35μm标准CMOS工艺,二层多晶场板结构,漂移区长度4.5μm,通过优化工艺条件及器件结构,实现了100V的击穿电压,射频功率密度可达1.4W/mm。