红外发光二极管对固体继电器漏电流的影响

固体继电器在军工和民用市场被使用得越来越广泛,大量替换了传统的电磁继电器,并且固体继电器的隔离方式也从变压器隔离向着光隔离转变,光隔离固体继电器已经成为很多厂家的设计主流。光隔离固体继电器被大量使用,但是在使用红外发光二极管等发光器件时,如果选择的红外发光二极管的波长和输出场效应管的禁带宽度不匹配,处理不当时会造成固体继电器的输出漏电流超标。通过光电效应分析了红外发光二极管对固体继电器输出漏电流的影响,通过试验测试验证了这种影响机理,并提出了改进方法。

旁路二极管对热斑效应的抑制效果仿真研究

在光伏电池产业迅速发展的背景下,光伏电池板在阴影遮蔽时产生的热板效应也逐渐受到关注。本文首先分析了热板效应产生的原理,基于PSCAD仿真平台建立了光伏发电系统的等效模型,并根据工程实际选取合适的参数。继而对无阴影遮挡电池板和有阴影遮挡时的光伏电池板进行仿真研究,对比后分析得出加装旁路二极管对热斑效应的抑制效果。

梁式引线GaAs混频二极管对

文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对，可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，选择ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ微合金形成肖特基势垒，ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜，以及合理的工艺途径。器件抗烧毁能力强，可靠性好。其伏安特性ｎ因子小于１．１，结电容２Ｃｊ＝０．１～０．２ｐＦ，正向微分电阻为３～６Ω，分布电容较小，结电容差为ΔＣｊ≤０．０２５ｐＦ，正向电压差为ΔＶＦ≤２５ｍＶ。将该器件应用于１８～４０ＧＨｚ宽带分谐波混频器中，中频带宽为４～８ＧＨｚ，混频器的变频损耗低于２０ｄＢ，本振功率为１３ｄＢｍ。

反并联二极管对IGCT关断过程的影响

IGCT是一种基于GTO结构并利用集成门极电路进行硬驱动控制的大功率半导体开关器件。在IGCT关断过程中,其门极换流有可能使反并联在IGCT两端的二极管因正向偏置而导通,从而对IGCT的关断过程产生显著的影响。本文从介绍IGCT工作原理入手,结合解释门极换流过程,对IGCT关断过程中反并联二极管的工作和由此产生的影响进行了分析,并通过实验结果对此进行了验证。

瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟

为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结果表明,当钽电容等效串联电阻为288mΩ,钽电容等效串联电感为0.68μH,导线电感为40nH和回路电阻为3.3mΩ时,22μF/16V电容放电发火电路的等效电路模型和实际吻合。以阻抗-能量列表模型的方式创建的半导体桥PSpice电子器件模型模拟曲线和实际曲线吻合,且模拟电爆数据偏差小于3%。模拟和试验结果表明,TVS对半导体桥电爆性能的影响程度随着其击穿电压的升高而降低。当TVS的击穿电压在8~12V之间时,即使TVS击穿电压低于半导体桥发火电压,半导体桥仍能正常爆发,TVS击穿造成的分流导致半导体桥爆发延迟(2μs),且延迟时间随着TVS击穿电压的降低而延长。

硅二极管对高功率微波的非线性响应计算

考虑二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组中可能考虑的因素 ,利用自行研制的半导体器件模拟程序 m PND1 D,对硅二极管在高功率微波激励下的非线性特性进行了数值计算 ,结果显示出硅二极管对微波信号响应的非线性。

基于智能旁路二极管对遮阴影响下的太阳能模组优化设计

为了避免光伏电池在局部遮挡情况下的热斑效应,通常在一定数量电池元的两侧并联旁路二极管,然而由于旁路二极管的反向偏置,容易造成模组的局部加热现象,不可避免地导致光伏组件损坏或过早的失效。因此,提出智能规划旁路二极管的拓扑结构,结合串并联的光伏阵列拓扑建立了电路模型,并将太阳能模组电压的大小作为控制二极管拓扑结构的开关状态的判定规则,降低旁路二极管的导通损耗,最大限度地提高电池板的输出电能与使用年限。进一步探究了基于智能控制系统的MPPT策略,在计算获得GMPP点所在的UOVSR区间后,对该特定的区域采用优化粒子群算法进行最大功率点寻优。仿真结果表明该算法可以快速跟踪到GMPP。该方法利用小区域搜索代替全局搜索,具有速度快和准确性高的特点,可有效降低跟踪过程中的能量损耗。

锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的测量

基于P+n平面结构Ge APD的工作原理,介绍了采用Ge APD作为光电转换器件,并配以微带电路和取样技术来测量Ge APD对快速光脉冲响应时间的方法。

基于TRL的3mm波段变容二极管对建模方法

本文在商用变容二极管的简化电路模型基础上,对非线性肖特基结和周围的无源结构进行了基于石英介质的TRL去嵌入建模分析,在考虑二极管无源区和封装环境各种寄生参量情况下,建立了精确的3mm波段二极管对电路模型.采用TRL算法,通过拟合初始二极管S参数曲线和TRL测试参数确定芯片电路模型中各集总参数元件数值.二极管对在片各项测试结果和基于改进的电路模型仿真结果相吻合.该二极管对电路模型建模方法可应用于毫米波亚毫米波混频倍频电路的准确分析与设计.

锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的研究

基于P+n平面结构Ge-APD的工作原理,介绍了采用Ge-APD作为光电转换器件,并配以微带电路和取样技术来测量Ge-APD对快速光脉冲响应时间的方法.

基于反向平行二极管对管的高性能W波段谐波混频器（英文）

采用砷化镓反向平行二极管对管,提出了一款W波段高性能谐波混频器。二极管对管是由实验室砷化镓工艺线制作而成,并且二极管对管的模型显示具有极高的截止频率和低的串联电阻特性,所以适用于W波段。基于此二极管对管,设计、制作并测试了石英衬底上的W波段谐波混频器。结果显示在80 GHz^100 GHz的频率范围内,谐波混频器的变频损耗为9.2 d B^12 d B,并且所需要的本振功率仅为6 d Bm,能够很好地减少对本振源的需求。

基于反向并联二极管对的D波段次谐波混频器

设计并制作了一个D波段次谐波混频器。该混频器使用VDI公司反向并联肖特基二极管对,安装在50μm厚的石英基片悬置微带上。通过HFSS和ADS的联合设计仿真,混频器在射频频率141～158GHz频段内变频损耗低于10dB,在149 GHz处获得最佳变频损耗7.8dB。最后加工了实物并进行了测试,结果显示,在138～155GHz范围内,变频损耗基本小于20dB,带内最低损耗在10dB左右。该混频器具有结构简单,容易制造,变频损耗低等优点。

SiC二极管对PFC系统性能提升的应用分析

功率因数校正(PFC)变换器是电源系统中重要的组成部分。由于受限于传统Si二极管这一瓶颈,使得目前PFC系统中还存在效率低、开关损耗大、散热器体积大、开关管和二极管电压、电流的开关应力大等一系列问题。针对上述问题,对PFC变换器中开关管和二极管的瞬态波形及开关损耗进行了深入分析,并在此基础上,采用SiC二极管代替传统Si二极管,设计了一款220 kHz 600 W PFC变换器样机,通过实验测试和理论分析,对比了两者对PFC系统中关键参数的影响,验证了在PFC变换器中使用SiC二极管对系统各方面性能的提升,解决了传统Si二极管在PFC系统中的不足。

智能重构旁路二极管对阴影下太阳能电池的输出功率提升

太阳能电池板使用旁路二极管避免阴影效应和热斑,二极管的内阻会损耗电流。提出采用一种名为智能重构旁路二极管的新型二极管布局,通过智能判断并短路未使用的旁路二极管,来增加局部被遮挡太阳能电池板的输出功率。文中阐明了智能重构二极管的实现原理,建立了电路模型。提出通过太阳能电池片电压的大小,判断控制二极管拓扑结构的开关状态的判定规则。进行了模拟仿真,实验验证了仿真结果。基于实验结果,并与普通二极管布局对比,采用智能重构二极管布局的太阳能电池板输出功率提升可达到12.24%。

不同蓝红光比例发光二极管对火龙果花芽分化和果实品质的影响

以红肉火龙果‘紫蜜龙’为试验材料,设蓝光与红光比例分别为1∶8、1∶6、1∶4、1∶3、1∶2的发光二极管(lightemitting diode, LED)为实验处理,白光LED作对照进行补光(CK),光源分置在50 cm和70 cm这2个高度;同时设置不补光对照(CK_0)。通过比较不同处理间的花芽分化、物候期、果实品质,筛选出能够促进春季提前现蕾、增加花芽数量及提高果实品质的最佳补光方案。结果表明:补光处理分化的花芽数量比不补光多;蓝光与红光比例1∶4、光源高度50 cm的组合,花芽分化数量最多,产量显著高于其他处理,平均单产达到了2.236 kg/株;蓝光与红光比例1∶2、光源高度50 cm的组合,果实可溶性固形物含量相对最高,品质最佳。

雪崩光电二极管对空激光测距接收机

根据雪崩光电二极管最佳应用理论设计出一种新的激光测距接收机,其特有的雪崩管工作电压建立方式,使它能在很宽的温度范围内工作,具有极强的背景辐射环境适应性,已成功地用于对空激光测距。

整流二极管对压电输出模型的影响性研究

为了提高压电换能器理论模型的精度,基于标准电路,在考虑整流二极管压降的基础上,建立了更准确的压电换能器理论模型,得出系统输出功率的表达式,并给出了等效质量的位移推导过程。对比传统模型,通过仿真分析揭示了整流二极管对压电输出的影响规律。结果表明,在考虑整流二极管压降的基础上,接口电路实际最优匹配负载有少量增加趋势;随着整流二极管压降的增加,输出功率峰值呈递减趋势;输出频带宽也相应减小。

紫外发光二极管对食品接触材料的杀菌动力学及影响因素

紫外发光二极管(ultraviolet C light-emitting diodes,UVC-LEDs)是一种新型紫外光源,具有环境友好、效率高、寿命长等优点,在食品工业领域具有广阔的应用潜力。本实验研究了UVC-LEDs对食品接触材料表面食源性致病菌的失活动力学规律及影响因素。结果表明,UVC-LEDs对接种于食品接触材料表面大肠杆菌O157:H7(Escherichia coli O157:H7)的杀灭效果明显优于对单核细胞增生李斯特菌(Listeria monocytogenes)的杀灭效果。当UVC-LEDs处理剂量为800 mJ/cm^(2)时,接种在玻璃片、定向聚丙烯(oriented polypropylene,OPP)薄膜、不锈钢片和牛皮纸表面的L.monocytogenes分别从初始的5.45、5.56、5.11(lg(CFU/cm^(2)))和5.47(lg(CFU/cm^(2)))降低到0.60、0.70、1.04(lg(CFU/cm^(2)))和5.08(lg(CFU/cm^(2)))。UVC-LEDs处理对不同食品接触材料表面E.coli O157:H7的失活效果也得到类似的结果。Weibull模型(R^(2)>0.922)和Biphasic模型(R^(2)>0.960)均能够较好地拟合UVC-LEDs对玻璃片、OPP薄膜、不锈钢片和牛皮纸表面E.coli O157:H7和L.monocytogenes的失活规律。UVC-LEDs对玻璃片、OPP薄膜、不锈钢片和牛皮纸杀菌效果依次降低,这可能与食品接触材料的表面粗糙度和亲水性等性质有关。以上结果表明,UVC-LEDs对食品接触材料的杀菌效果可能受到微生物种类及接触材料表面特性等因素的影响。

串联二极管对直流真空断路器强迫换流分断特性的影响

为开发实用的中压大容量直流直流真空断路器,针对10kV级直流真空断路器的大电流快速换流分断过程开展试验研究。当单独的真空断路器在电弧电流下降率约300 A/μs条件下对23kA电流进行换流分断时,容易发生电弧重燃和分断失败;串联二极管后,相同条件下的换流分断可靠性得到大幅提升。在单独真空断路器的换流分断过程中,弧后真空间隙的鞘层发展过程持续约450μs,并且电场强度和功率密度在电弧过零后约1μs分别达到峰值12MV/m和45MW/m^(2),真空间隙极易在鞘层发展阶段等离子体浓度仍然较高时发生电、热击穿。串联二极管能在熄弧后的反向阻断期间有效切断电弧能量注入回路,并使真空间隙躲过弧后快速上升的初始暂态恢复电压,同时促进真空间隙的等离体浓度大幅衰减,进而明显降低真空间隙开始恢复绝缘时的电场强度和功率密度。在二极管反向阻断结束时刻真空间隙才开始建立介质强度的极端条件下,电场强度和功率密度延时30μs才上升到峰值,并且分别被显著降低到130kV/m和1.4kW/m^(2),对降低真空间隙重击穿的发生概率、改善弧后介质恢复性能十分有利。

利用红外发光二极管对传统可遥控家电进行智能化升级

从传统家居市场中最常见的"遥控器"着手分析,根据遥控器的基本原理,结合智能手机的基本功能,借助音频设备的相关设置,利用红外发光二级管的单向导电性并加入相关的无线互联技术,设计了最便捷、最快速、最廉价的方案,对目前占据市场较大份额的"可遥控传统家居"市场进行了智能化产业升级。