基于二极管桥与串联RL滤波器的一阶广义忆阻模拟器

针对现有忆阻模拟器过于复杂,提出了一种简单的广义忆阻模拟器.该模拟器是仅由二极管桥和串联RL滤波器构成的一阶忆阻等效电路.对广义忆阻模拟器的输入端口伏安关系建立了数学模型并进行了相应的特征分析.数值仿真与电路实验的结果表明:该模拟器符合广义忆阻器的定义,可展示出忆阻紧磁滞回线的本质特征.新提出的广义忆阻模拟器电路结构简单、无接地限制,便于电路实现和应用接入.

基于有源电感的二极管桥忆阻模拟器

针对目前含电感的二极管桥忆阻模拟器在物理实现上存在体积大、绕制繁琐且感值调整难的缺点,提出了一种基于有源电感的二极管桥忆阻模拟器。首先对模拟器输入端口伏安特性关系进行理论推导及分析,然后通过Multisim仿真验证。结果表明:该模拟器符合广义忆阻器的定义,并具有易于物理实现、参数调整灵活特点。

一种二极管桥结构7位60 MSPS采样保持器

提出了一种二极管桥结构的采样保持器。理论分析和实验仿真结果表明，该采样保持器采样率达60MSPS，在0．6～5．0MHz输入信号频率范围内，其有效位数达到7．43～6．68位。利用这种二极管桥结构的电压差异，可以降低保持电容上的电压跌落率，提高精度和采样率。

一种二极管桥式跟踪保持电路设计

设计了一种基于二极管桥的两级全差分跟踪保持电路,两级模块由独立的时钟控制,可以各自工作在跟踪模式。芯片采用1μm GaAs HBT工艺实现,芯片大小为1.8mm×2mm,功耗2.75W。经测试,电路可以工作在1GS/s采样速率下,单端输入峰峰值250mV信号时采样带宽超过7GHz;单端输入峰峰值250mV,DC-2GHz信号时,电路具有8bit有效位。

级联二极管H桥多电平变换器

针对传统级联H桥多电平中高压变频器整流端采用体积大、接线多且价格高的移相变压器的问题,提出一种基于级联二极管H桥多电平整流中高压变频器拓扑。该拓扑由二极管H桥电路和Boost电路组成的基本单元级联构成。通过相应控制策略,可实现高功率因数整流、等直流电压输出。首先,在建立电路数学模型的基础上对电压平衡和功率因数的决定因素进行了分析,然后提出了相应的控制策略。最后通过仿真和实验验证了新型拓扑的正确性和优越性。

星接三相二极管H桥级联变换器分析与设计

针对实际工业应用中,70%场合中高压变频器只需实现能量单方向传输的特点,分析讨论了一种可用于构成新一代高频隔离中高压变频器整流级的三相星形接法二极管H桥级联变换器。针对单相二极管H桥级联变换器本质上不能实现单位功率因数运行的问题,在分析了星形接法的三相二极管H桥型变换器的工作原理基础上,给出了三相系统可实现单位功率因数运行的理论依据,并重点讨论了三相二极管H桥型变换器运作的两种工作模式。同时采用相量图法给出了系统的最大升压比和系统电感、电容等主要参数的约束条件。最后通过仿真和实验验证了所提理论的正确性和有效性。

电容式传感器测量用二极管双T型交流电桥的分析

从电路基本原理和分析方法出发,详细推导了电容式传感器测量用二极管双T型交流电桥的输出电压,并分析了相关电路参数对测量结果的影响。这些工作是对"传感器原理及实验"课程教学内容的补充和完善,同时也给后续的工程应用设计提供了技术参考。为保证调理电路获得尽可能大的输出电压,设计时应根据被测电容的大小,选择合适的电阻R_1,保证激励信号的周期远大于时间常数τ_1、τ_2的条件下,尽可能的提高信号频率。

一种双二极管式无桥Boost PFC电路

针对在中大功率应用时传统Boost PFC电路的整流桥损耗较大的问题,采用双二极管式无桥Boost PFC电路代替传统PFC,它省去了整流桥,导通器件少,能有效提高变换器效率。详细分析了该电路原理和传导损耗,通过平均电流模式控制芯片UCC28070制作了实验样机,实验结果表明,与传统Boost PFC电路相比,效率提高了一个百分点左右,电路整体效率得到了较好改善。

基于NPC 5电平H桥级联的牵引变电所谐波分析

基于5电平二极管钳位H桥(以下简称5H桥)级联的牵引供电系统是为了取消既有牵引供电系统电分相、改善电能质量、扩大牵引变电所容量而提出的一种新型牵引供电系统。针对目前对该新型牵引供电系统的研究较少、对级联变换器构成的新型牵引变电所的谐波分析基本为空白的现状,本文分析了该牵引变电所输出谐波特性,利用双边傅里叶函数推导了载波移相SPWM(CPS-SPWM)调制策略下的5H桥及5H桥级联牵引变电所输出电压谐波特性,利用Matlab/Simulink搭建该牵引变电所模型,仿真结果表明:该牵引变电所输出电压总谐波失真率可满足国家标准,由此可知该变电所可不用设置滤波电路。且通过仿真和基于FPGA的小功率实验,验证了输出电压谐波分布特性与理论推导一致性,为该系统的进一步研究提供了理论依据。

混合式高压直流断路器用IGBT功能模型

混合式高压直流断路器是保障柔性直流电网可靠性的关键装备,其中,绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)是实现断路器分断功能的核心器件,因此其需要具备短时分断超大电流及耐受严苛电压电流应力的能力。为此,建立了一种适用于混合式直流断路器应用工况的IGBT大电流关断功能模型。依据IGBT关断时的外部电压电流特性,研究了关断暂态的电流变化数学规律,以此为基础对PSCAD中的通用IGBT模型进行二次开发,建立了能够反映IGBT关断暂态过程器件电气应力的功能模型。利用所提模型在PSCAD中搭建二极管桥式子模块仿真模型并进行了不同电流等级下的仿真计算,同时搭建了测试试验平台,对提出的功能模型进行试验验证。对比试验结果和仿真结果可以发现:关断暂态电流偏差和尖峰电压偏差均控制在10%以内,证明了所建模型的准确性和有效性。另外,将IGBT功能模型嵌入到混合式高压直流断路器整机仿真电路中,仿真结果较好地反映了断路器ms级的分断过程和μs级的换流过程。研究结果为混合式高压直流断路器的整机精细化建模提供了更为准确的IGBT仿真模型,具有一定的工程实用价值。

基于广义忆阻器的有源带通滤波器仿真与分析

基于一种广义忆阻器,用其替代有源带通滤波器中的某个电阻,构建一种全新的基于广义忆阻器的有源带通滤波器,并对其进行数学建模及数值仿真。该电路有且仅有一个零平衡点,会产生复杂的非线性动力学行为,譬如混沌、周期、倍周期分岔道路、共存分岔模式等现象。