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掺杂TGS晶体抑制杂晶方法的研究
1
作者
陈连发
丁斌
+1 位作者
关昶
强亮生
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期256-258,共3页
首次采用二次下晶法,有效地抑制杂晶的出现,加快了晶体生长速率.同时对晶体生长过程中出现的一些问题进行了探讨.将掺杂晶体生长溶液的pH值控制在1~4,可改变掺杂晶体的结晶习性.
关键词
TGS
晶
体
二次下晶法
抑制杂
晶
PH值
下载PDF
职称材料
题名
掺杂TGS晶体抑制杂晶方法的研究
1
作者
陈连发
丁斌
关昶
强亮生
机构
吉林化工学院化工系
哈尔滨工业大学应用化学系
出处
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期256-258,共3页
文摘
首次采用二次下晶法,有效地抑制杂晶的出现,加快了晶体生长速率.同时对晶体生长过程中出现的一些问题进行了探讨.将掺杂晶体生长溶液的pH值控制在1~4,可改变掺杂晶体的结晶习性.
关键词
TGS
晶
体
二次下晶法
抑制杂
晶
PH值
Keywords
TGS crystal
twice seedling method
restraint for foreign crystals
pH value
分类号
O782.1 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺杂TGS晶体抑制杂晶方法的研究
陈连发
丁斌
关昶
强亮生
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
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