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Co_2O_3掺杂WO_3陶瓷的电学特性
1
作者
张英
王豫
《电工材料》
CAS
2008年第1期6-9,共4页
采用常规的电子陶瓷工艺制备了Co0.04W0.96O3多晶陶瓷,并对样品进行了微观形貌、相结构及I-V特性测试分析,发现Co0.04W0.96O3多晶陶瓷存在着奇特的负微分电阻特性。微分电阻随电场变化的曲线图揭示了Co′W′′缺陷有着与众不同的特点,...
采用常规的电子陶瓷工艺制备了Co0.04W0.96O3多晶陶瓷,并对样品进行了微观形貌、相结构及I-V特性测试分析,发现Co0.04W0.96O3多晶陶瓷存在着奇特的负微分电阻特性。微分电阻随电场变化的曲线图揭示了Co′W′′缺陷有着与众不同的特点,正是这种缺陷的存在使得多晶陶瓷具有负微分电阻特性。主要讨论了Co0.04W0.96O3多晶陶瓷负微分电阻特性的产生机制,并提出了二次势垒模型。
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关键词
陶瓷材料
掺杂
负微分电阻
二次势垒
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职称材料
题名
Co_2O_3掺杂WO_3陶瓷的电学特性
1
作者
张英
王豫
机构
西南交通大学超导研究中心
出处
《电工材料》
CAS
2008年第1期6-9,共4页
基金
国家自然科学基金资助(50772092)
文摘
采用常规的电子陶瓷工艺制备了Co0.04W0.96O3多晶陶瓷,并对样品进行了微观形貌、相结构及I-V特性测试分析,发现Co0.04W0.96O3多晶陶瓷存在着奇特的负微分电阻特性。微分电阻随电场变化的曲线图揭示了Co′W′′缺陷有着与众不同的特点,正是这种缺陷的存在使得多晶陶瓷具有负微分电阻特性。主要讨论了Co0.04W0.96O3多晶陶瓷负微分电阻特性的产生机制,并提出了二次势垒模型。
关键词
陶瓷材料
掺杂
负微分电阻
二次势垒
Keywords
ceramics
aduterate
NDR
secondary barrier
分类号
TM282 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Co_2O_3掺杂WO_3陶瓷的电学特性
张英
王豫
《电工材料》
CAS
2008
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