低气压极不均匀场二次流注形态及机理研究

为研究低气压极不均匀场下二次流注形态特征及延伸机制,利用低气压放电实验平台对10~30 kPa气压范围内200 mm棒-板间隙进行工频放电实验研究,得到不同气压下初始流注向二次流注转化的过程,并对二次流注的起始机制、整体形态特征及延伸特性进行分析。研究结果表明:初始流注猝灭或向二次流注转化是阳极前方局部场强随机扰动和阴极注入电子的焦耳热效应共同作用的结果。极不均匀场下随气压降低二次流注延伸极限、分叉径向扩展能力、发展速度逐渐降低,且初始流注分叉点的存在对二次流注发展具有显著的降速作用。研究成果为探讨空间环境下高压设备空气间隙绝缘特性提供参考。

C4F7N/CO2混合气体中尖端缺陷的流注放电仿真研究

为了探究新型环保气体中流注的产生机理和发展过程,为局部放电的光学检测和可靠诊断提供理论基础,通过COMSOL仿真直流电压下C4F7N/CO2混合气体中针板模型一次流注到二次流注的放电过程,将电子和离子的产生与运动通过连续性方程进行表示,获得流注发展过程中电场的变化规律和光通量的密度分布。仿真结果表明,当一次流注头部靠近阴极时,光通量将呈指数增长;随后空间电荷将迅速地重新分配,阴极处的电子将通过流注通道进入阳极,一次流注的等离子体鞘层被破坏,流注体内部的电场上升;随着通道的导电性降低,电荷重新分配结束,二次流注开始向阴极发展。二次流注与一次流注相比,流注体内的电场分布与光通量分布更加均匀,传播速度也相对较慢。

注气缝参数对无阻流门式反推力装置性能的影响

利用CFD数值模拟技术,对涵道比为9的无阻流门式反推力装置实验模型的流场进行数值模拟.分析了不同落压比下,反推力效率、叶栅流量比和注气流量比随注气缝参数变化的规律.根据计算结果,详细分析了反推力装置流场特征,指出二次流注气位置、注气角度和注气缝宽度对反推力装置性能有较大的影响.根据分析结果,确定寻找最佳注气缝参数的一般性规律.

正极性雷电冲击电压下5m棒-板空气间隙放电特性试验研究

开展了正极性雷电冲击电压下5 m棒-板间隙的放电试验,同步测量获得了放电电压、放电电流和图像。根据放电不同阶段的电流特性,辨识了初始电流放电、二次流注放电和先导放电过程,并研究了电压幅值和电极形状对上述放电阶段的影响。试验结果表明,初始流注放电产生的空间电荷与电压幅值和电极曲率半径均正相关,其抑制作用使得流注起始时延的平均值近似为常数;二次流注的平均速度为700~1 060 cm/μs,其随着电压幅值的增加逐渐增大,而随着曲率半径的增大而减小;先导发展的平均速度为29~111 cm/μs,随电压幅值的增加线性增大,而随电极曲率半径增大有所降低。

A New Lifetime Prediction Model for pMOSFETs Under V_g=V_d/2 Mode with 2.5nm Oxide

Gate current for pMOSFETs is composed of direct tunneling current,channel hot hole,electron injection current,and highly energetic hot holes by secondary impact ionization.The device degradation under V g=V d/2 is mainly caused by the injection of hot electrons by primary impact ionization and hot holes by secondary impact ionization,and the device lifetime is assumed to be inversely proportional to the hot holes,which is able to surmount Si-SiO 2 barrier and be injected into the gate oxide.A new lifetime prediction model is proposed on the basis and validated to agree well with the experiment.