二次测量法及其在轮廓形状测量中的应用

二次测量法将轮廓形状的测量和数据处理过程分为两步:第一步为建模过程,首先在轮廓上布置N个采样点(称之为建模点),通过测量,获取采样点处的坐标值,然后根据各点的坐标值建立轮廓的形状模型;第二步为检验过程,在轮廓上再布置M个采样点(称之为检验点),根据建立的轮廓形状模型,重构各检验点的模型坐标值,再通过实际测量获得检验点的实际坐标值.将模型坐标值与实际坐标值对比,可以对建模采样过程中采样点的布局合理性和采样点数的充分性进行检验.本文以圆轮廓、自由曲线轮廓和圆柱轮廓为例,论述了二次测量法的原理以及数据处理过程,并通过仿真和实测试验验证了该方法的正确性.

二次测量法消除伏安法测电阻时电表的接入误差

通过对伏安法测电阻 ,电流表内接法和外接法产生的误差原因分析 ,找出一种理论方法 。

采用二次测量法计算被测电压、电流期望值

在日常电压计量检定或校准工作中,由于电压表(指针式和数字式)内阻不可能达到无穷大,特别是现有电压表精度不高的情况下,使得测量结果偏离电压真值。尤其在负载电阻很大的情况下,会带来电压测量很大偏差。采用同一电压表不同量程档或采用两只不同内阻的电压表或采用已知的精密电阻与电压表并接法进行二次测量,可计算出被测电压的期望值,提高电压计量准确度。同理,由于电流表内阻不可能为零,同样会给测量带来误差,采用二次测量法可计算出被测电流的期望值。

巧用“二次测量法”消除电表内阻对电路测量的影响

针对伏安法测电阻实验中由于实际电压表和实际电流表并不是理想表，即电压表内阻很大，但不是无穷大，电压表分流会给测量带来系统误差，电流表内阻很小，但不是零，电流表分压也会给测量带来系统误差的情况，通过4种典型的电路设计方案介绍如何巧用“二次测量法”消除电表内阻对电路测量的影响。

一种物体比辐射率的新型四次测量法及增温补偿

提出了测量物体比辐射率的二次照度四次测量法.根据自主研制的仪器表明该方法和设计能够测量到与照射到被测目标完全一致的热辐射源辐照度,并且能够排除传感器镜头、腔壁等的干扰.不仅提高测量精度,而且可以设计成小尺寸便携式的比辐射率测定仪.设计的1 000 w/m^2以上的强热辐射源,大幅度提高仪器信噪比.为了补偿在强热辐射源下的被测目标的增温,提出了在非同温系统中求解比辐射率普适表达式以及补偿增温的"过程法".从而解决了在非同温系统中温度变化造成比辐射率测量误差的瓶颈问题.三种比辐射率测量方法对比表明,该方法优于其它两种方法.

两种现场材料声速测量方法

介绍了两种适用于现场应用的采用数字式超声波探伤仪测量材料声速的方法,即双探头二次测量法和表面波法。其中,表面波法测量简单,易计算,只须工件表面打磨光滑,而双探头二次测量法计算稍复杂。采用这两种方法可以在现场对未知壁厚的工件在不进行破坏性取样的基础上进行材料声速测量,方便实用,具有较高的精度。

轮廓形状特征建模辨识及其应用

轮廓的尺寸量、位置量以及形状误差估计值的不确定度与测量误差、被测轮廓的形状特征以及采样策略等有关。当采样点数较少且对轮廓形状特征和仪器特性缺少先验认识时,分析轮廓参数估计值的不确定度是困难的。文中依据轮廓形状特征模型,首次提出“二次测量法”理论,用来辨识模型参数,并定量分析轮廓参数估计值的不确定度。仿真和实测结果表明,该方法是有效的。

基于发射率偏差约束的多光谱真温反演算法

基于二次测量的多光谱辐射测温反演算法由于无需事先假设发射率模型而受到广泛关注,但需要较长的迭代时间,并且需要设定合适初始温度和发射率范围。为此提出了基于发射率偏差约束的多光谱真温反演算法。将二次测量法中发射率连续迭代转变为发射率偏差约束后迭代,拟合了光谱发射率偏差和温度偏差之间的函数关系,依据此函数关系确定每次迭代所产生的发射率偏差,从而迅速减小发射率搜索范围,提高计算效率。针对四种光谱发射率模型的仿真结果表明,与二次测量法相比,新算法无需设定温度初值范围,在保证反演精度的前提下,运算效率提高60%以上。

A Decision Method Based on Competition Model

We propose a decision method -double scale method to derive the priority vector of finite alternatives with respect to a single criterion based on competition model. Compared with the attribute hierarchical model, the double scale method is reasonable and practical.