提高砷化镓二次电子发射系数的探讨

介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较,得出:当原电子入射能量较低(小于10 keV)时,两种砷化镓的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高(大于20 keV)时,经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数比普通砷化镓的二次电子发射系数大,而且随着原电子入射能量的升高,两种砷化镓的二次电子发射系数差值也在增大。

Cu-Al-Mg合金表面氧化膜分析

利用俄歇能谱、X射线电子能谱和扫描电镜对Cu Al Mg合金表面氧化膜进行了分析。结果表明 :氧化膜由MgO和Al2 O3 组成 ;没有进行过氧化处理的样品膜内的Al和O含量高于进行过氧化处理的样品 ,而Mg则相反 ;Al2 O3 的键合能E2 p3 / 2 值大于MgO的E2 p3 / 2 值 ,表明Al2 O3 不易被分解 ;进行电子轰击后 ,膜内Mg含量减少 ,MgO被部分分解 ,而Al则增加。由MgO和Al2 O3 组成的复合型氧化膜使得合金既具有高的二次电子发射系数又有长的寿命 ,因此 ,Cu Al Mg合金是一种理想的二次电子发射材料。