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基于MILO结构的一种单边multipactor模型分析 被引量：1
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作者 应旭华 郝建红 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期4799-4805,共7页
根据高功率微波源相互作用腔的物理结构特性,以磁绝缘传输线振荡器(MILO)为例,建立了一种单边二次电子倍增效应(mulitpactor)模型.采用概率统计和蒙特卡罗(MC)模拟方法,计算了敏感曲线和二次电子的时间演化规律,分析了射频场参数对二次... 根据高功率微波源相互作用腔的物理结构特性,以磁绝缘传输线振荡器(MILO)为例,建立了一种单边二次电子倍增效应(mulitpactor)模型.采用概率统计和蒙特卡罗(MC)模拟方法,计算了敏感曲线和二次电子的时间演化规律,分析了射频场参数对二次电子倍增效应的影响,并提出了减小和抑制二次电子倍增效应的具体措施. 展开更多
关键词 单边二次电子倍增效应 敏感曲线 二次电子的时间演化
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