二次离子质谱学的新进展

简要回顾了二次离子质谱学的形成和发展 ,从原始概念出发概括分析了学科的特点 ,据此评述了其领域的拓宽和现状。结合近 5年来国内外的最新进展 ,以微电子学和光电子学为重点 ,兼顾生物和医学、地质和天体学科、纳米科技和环境监测等领域 ,讨论了其前沿在世纪之交对SIMS提出的挑战 ,介绍了定量分析和仪器的发展现状。有重点地结合一些实例 。

2005年全球华人二次离子质谱学及相关领域研讨会在台湾新竹成功举行

2005年全球华人二次离子质谱学及相关领域研讨会（2005 Worldwide Chinese Secondary Ion Mass Spectrometry＆Related Topic Symposium，2005WCSIMS）于1月15--19日在台湾新竹成功举行，这是1993和1998年在北京清华大学召开第一、二届中国二次离子质谱学会议的基础上，首次在新竹清华大学举办，新竹和北京清华大学的凌永健和查良镇教授共同担任大会主席。新竹清华大学工学院院长陈力俊教授和化学系主任汪炳钧教授致欢迎词后，会议正式开始。

二次离子质谱学的拓宽与前沿

1 会议概况 1998国际二次离子质谱学研讨会[1998 International Symposium on Secondary IonMass SPectrometry(ISSIMS’98)]暨第2届全国二次离子质谱学会议[Second Chinese Na-tional Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry(SIMS Ⅱ,China)]于4月6日到10日在北京清华大学举行。会议由北京清华大学与香港科技大学、台湾新竹清华大学和中国二次离子质谱学会议组织委员会联合主办,北京清华大学承办。

二次离子质谱学的最新进展──第9届国际二次离子质谱学会议评述

二次离子质谱学（ＳＩＭＳ）以其很高的灵敏度、很宽的动态范围和优良的深度分辨已逐步发展成为一种重要而有特色的表面分析手段。本文结合第９届国际二次离子质谱学会议（ＳＩＭＳ－ＩＸ）对ＳＩＭＳ的最新进展作一个简要评述，范围包括ＳＩＭＳ的各个方面：基础研究、仪器发展、定量分析、应用以及后电离技术等。

第十六届国际二次离子质谱学会议在日本召开

第十六届国际二次离子质谱学会议（The 16th International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry,SIMS XVI）于2007年10月29日至11月2日在日本西部金泽市（Kanazawa）召开,原中国真空学会常务理事、清华大学著名教授查良镇先生在会上作了学术报告,并代表中国首次当选为新一届国际组织委员会（International Organization Committee）委员。

《2008北京二次离子质谱学国际研讨会》在北京召开

2008年10月26日～29日第四届中国二次离子质谱学会议暨2008北京二次离子质谱学国际研讨会在北京举行，有来自美国、英国、法国、德国、日本、新加坡、中国台湾、中国香港和中国大陆等九个国家和地区的八十余名代表参加了会议，会议收到学术论文摘要43篇，特邀报告11篇。学术会议正式开始前的周日首次举办了一天“二次离子质谱学系列学术讲座”特别培训课程，有来自北京各高校150人参加，热烈讨论，反映良好。

GaAs二次离子发射的氧和铯效应

在二次离子质谱学中，氧和铯效应是影响二次离子发射最重要和复杂的现象。概括地总结了自９０年代以来对ＧａＡｓ二次离子发射氧和铯效应基础研究的主要成果。在准静态条件下，解决了用惰性气体Ａｒ＾＋源注氧研究复杂ＧａＡｓ基体上二次离子发射氧效应的主要困难，得到了表面注氧和覆铯使ＧａＡｓ二次离子产额和能量分布变化的实验规律，用ＴＯＦ－ＳＩＭＳ研究了砷化镓中ＭＣｓ＾＋ ＭＣｓ２＾＋等原子团离子的发射特性。

数理科学与基础理论

Z99-51340 00105821998国际二次离子质谱学研讨会暨第二届中国二次离子质谱学会议论文集〔会〕/中国真空学会.—226页(C)本文集收录了国际二次离子质谱学研讨会暨第二届中国二次离子质谱学会议上发表的48篇论文。内容涉及了当代二次离子质谱学的所有重要领域,综述了香港和台湾地区二次离子质谱学的发展现状。