橡胶材料表面氟化改性的研究

用ＸｅＦ２与橡胶表面发生反应。在不同条件下，得到氟化改性的结果，其表面致密光滑，表面含有一定量的氟，在高分子链上发生氟原子取代氢原子，形成碳氟键，并且氟化程度随时间增长而进一步加深，橡胶的性能明显提高。

宽带RF-MEMS开关驱动电压的分析研究

根据国内外发展的经验,从绝缘介质膜的制备、微桥膜内的残余应力到微桥膜的弹性系数这些影响驱动电压的关键因素出发,提出了一些新的微加工工艺和设计方法,为设计性能优良的RF-MEMS开关提供一种有效的方案,也为RF-MEMS开关设计和研制提供了有意义的探讨。

高压下XeF_2结构和电子性质的第一性原理研究

二氟化氙(XeF2)晶体是一种重要的化学刻蚀材料和激光器件材料.利用密度泛函理论(DFT),分别采用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)对XeF2晶体在0～120 GPa范围内的结构进行相关分子动力学模拟,得到了压强-体积(p-V)关系.结果表明,低压下用2种方法得到的XeF2晶体数据与实验比较吻合.同时,分析了高压下原子态密度的变化,得到了XeF2晶体带隙与压强的变化关系,表明XeF2晶体在高压下是一种半导体材料.研究其在高压下的变化特征,对实验研究具有一定参考价值.

基于XeF_2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导

在低阻硅（1-10Ω.cm）衬底上采用XeF2硅腐蚀工艺成功制备了长度为2 mm、结构尺寸为w/s=40/60μm间断悬浮和全悬浮两种结构的共面波导。SEM照片显示器件释放后的悬浮结构未出现粘附或破裂现象。通过WYKO三维形貌观察得到两种结构共面波导悬浮信号线最大翘曲量分别为10μm和16μm。微波性能测试结果表明两种悬浮结构共面波导在1-10 GHz频率范围内插入损耗分别低于4.5 dB/2 mm和3.2 dB/2 mm,远小于制作在低阻硅衬底上的普通共面波导插入损耗9.4 dB/2 mm;在1-3 GHz频率范围内插入损耗分别低于0.54 dB/2 mm和0.17 dB/2 mm,小于制作在高阻硅（1 400-1 500Ω.cm）衬底上普通共面波导的插入损耗0.55 dB/2 mm。