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Si基片上射频磁控溅射MgF_2薄膜的光学常数研究
被引量:
2
1
作者
史守华
何玉平
+1 位作者
宋学萍
孙兆奇
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
2003年第3期384-387,共4页
用射频磁控溅射技术在室温Si基片上制备了厚度分别为25.0nm和60.7nm的MgF2薄膜样品,并用反射式椭偏光谱技术对薄膜的光学常数进行了测试分析。250~830nm光频范围椭偏光谱测量结果表明:随着膜厚增加,MgF2薄膜的光学常数n、k的变化范围减...
用射频磁控溅射技术在室温Si基片上制备了厚度分别为25.0nm和60.7nm的MgF2薄膜样品,并用反射式椭偏光谱技术对薄膜的光学常数进行了测试分析。250~830nm光频范围椭偏光谱测量结果表明:随着膜厚增加,MgF2薄膜的光学常数n、k的变化范围减小,平均值增大;MgF2薄膜样品的吸收曲线k在波长λ为270nm和360nm处均出现由通过辐射产生的F心引起的吸收峰。
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关键词
射频磁控溅射
MgF2
薄膜
光学常数
二氟化镁薄膜
Si基片
椭偏光谱
测量
下载PDF
职称材料
题名
Si基片上射频磁控溅射MgF_2薄膜的光学常数研究
被引量:
2
1
作者
史守华
何玉平
宋学萍
孙兆奇
机构
安徽大学物理系
出处
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
2003年第3期384-387,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(59972001)
安徽省自然科学基金资助项目(01044901)
文摘
用射频磁控溅射技术在室温Si基片上制备了厚度分别为25.0nm和60.7nm的MgF2薄膜样品,并用反射式椭偏光谱技术对薄膜的光学常数进行了测试分析。250~830nm光频范围椭偏光谱测量结果表明:随着膜厚增加,MgF2薄膜的光学常数n、k的变化范围减小,平均值增大;MgF2薄膜样品的吸收曲线k在波长λ为270nm和360nm处均出现由通过辐射产生的F心引起的吸收峰。
关键词
射频磁控溅射
MgF2
薄膜
光学常数
二氟化镁薄膜
Si基片
椭偏光谱
测量
Keywords
RF magnetron sputtering
MgF_2 film
spectroscopic ellipsometry
optical constants
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
O484.5 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si基片上射频磁控溅射MgF_2薄膜的光学常数研究
史守华
何玉平
宋学萍
孙兆奇
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
2003
2
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职称材料
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